מטרות מוליבדן יכולות ליצור סרטים דקים על מצעים שונים ונמצאות בשימוש נרחב ברכיבים ומוצרים אלקטרוניים.

ביצועים של חומרי מטרה מנותקים מוליבדן

הביצועים של חומר מטרה מקרטעת מוליבדן זהים לאלו של חומר המקור שלו (מוליבדן טהור או סגסוגת מוליבדן). מוליבדן הוא יסוד מתכת המשמש בעיקר לפלדה. לאחר לחיצת תחמוצת מוליבדן תעשייתית, רובו משמש ישירות לייצור פלדה או ברזל יצוק. כמות קטנה של מוליבדן מותכת לברזל מוליבדן או רדיד מוליבדן ולאחר מכן משמשת לייצור פלדה. זה יכול לשפר את החוזק, הקשיות, הריתוך, הקשיחות, כמו גם טמפרטורה גבוהה ועמידות בפני קורוזיה של סגסוגות.

יישום של חומרי מטרה מקרטעים מוליבדן בצג שטוח

בתעשיית האלקטרוניקה, היישום של מטרות לקטטת מוליבדן מתמקד בעיקר בצגי פאנל שטוחים, אלקטרודות של תאים סולאריים בסרט דק וחומרי חיווט, כמו גם בחומרי שכבת מחסום מוליכים למחצה. חומרים אלה מבוססים על נקודת התכה גבוהה, מוליכות גבוהה, מוליבדן עם עכבה ספציפית נמוכה, בעל עמידות טובה בפני קורוזיה וביצועים סביבתיים. למוליבדן יש את היתרונות של רק מחצית מהעכבה הספציפית ומתח הסרט של כרום, ואין לו בעיות של זיהום סביבתי, מה שהופך אותו לאחד החומרים המועדפים לקפיצת מטרות בתצוגות שטוחות. בנוסף, הוספת אלמנטים מוליבדן לרכיבי LCD יכולה לשפר מאוד את הבהירות, הניגודיות, הצבע ותוחלת החיים של ה-LCD.

יישום של חומרי מטרה מקרטעים מוליבדן בתאים פוטו-וולטאיים סולאריים בסרט דק

CIGS הוא סוג חשוב של תא סולארי המשמש להמרת אור שמש לחשמל. CIGS מורכב מארבעה יסודות: נחושת (Cu), אינדיום (In), גליום (Ga) וסלניום (Se). שמו המלא הוא נחושת אינדיום גליום סלניום תא סולרי סרט דק. ל-CIGS יש את היתרונות של יכולת קליטת אור חזקה, יציבות יצירת חשמל טובה, יעילות המרה גבוהה, זמן ייצור חשמל ארוך ביום, יכולת ייצור חשמל גדולה, עלות ייצור נמוכה ותקופת התאוששות אנרגיה קצרה.

מטרות מוליבדן מרוססות בעיקר כדי ליצור את שכבת האלקטרודה של סוללות CIGS דק. מוליבדן ממוקם בתחתית התא הסולארי. כמגע אחורי של תאים סולאריים, הוא ממלא תפקיד חשוב בגרעין, צמיחה ומורפולוגיה של גבישי סרט דק CIGS.

מטרה לקרטוט מוליבדן למסך מגע

מטרות מוליבדן ניוביום (MoNb) משמשות כשכבות מוליכות, מכסות וחוסמות בטלוויזיות בחדות גבוהה, טאבלטים, סמארטפונים ומכשירים ניידים אחרים באמצעות ציפוי מקרטעת.