Filamento de tungstênio para implantação de íons de alta pureza

Breve descrição:

O filamento de tungstênio para implantação iônica de alta pureza é um filamento usado em equipamentos de implantação iônica. Ele foi projetado para suportar as condições adversas do processo de implantação iônica, onde os íons são acelerados e injetados no material alvo.


Detalhes do produto

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Descrições do produto

O fio de tungstênio para implantação iônica é um componente chave usado em máquinas de implantação iônica, principalmente em processos de fabricação de semicondutores. Este tipo de fio de tungstênio desempenha um papel importante em equipamentos semicondutores e sua qualidade e desempenho afetam diretamente a eficiência das linhas de processo de IC. A máquina de implantação de íons é um equipamento chave no processo de fabricação do VLSI (Circuito Integrado em Grande Escala), e o papel do fio de tungstênio como fonte de íons não pode ser ignorado. ‌

Especificações do produto

Dimensões Como seus desenhos
Local de Origem Luoyang, Henan
Marca FGD
Aplicativo semicondutor
Superfície Pele negra, lavagem alcalina, brilho de carro, polido
Pureza 99,95%
Material W1
Densidade 19,3g/cm3
Padrões de execução GB/T 4181-2017
Ponto de fusão 3400 ℃
Conteúdo de impurezas 0,005%
Implantação iônica de filamento de tungstênio

Composição Química

Componentes principais

W>99,95%

Conteúdo de impurezas≤

Pb

0,0005

Fe

0,0020

S

0,0050

P

0,0005

C

0,01

Cr

0,0010

Al

0,0015

Cu

0,0015

K

0,0080

N

0,003

Sn

0,0015

Si

0,0020

Ca

0,0015

Na

0,0020

O

0,008

Ti

0,0010

Mg

0,0010

Taxa de evaporação de metais refratários

Pressão de vapor de metais refratários

Por que nos escolher

1. Nossa fábrica está localizada na cidade de Luoyang, província de Henan. Luoyang é uma área de produção de minas de tungstênio e molibdênio, por isso temos vantagens absolutas em qualidade e preço;

2. Nossa empresa conta com pessoal técnico com mais de 15 anos de experiência, e oferecemos soluções e sugestões direcionadas às necessidades de cada cliente.

3. Todos os nossos produtos passam por rigorosa inspeção de qualidade antes de serem exportados.

4. Se você receber produtos com defeito, entre em contato conosco para obter um reembolso.

Implantação iônica de filamento de tungstênio (2)

Fluxo de Produção

1. Seleção de matéria-prima

(Selecione matérias-primas de tungstênio de alta qualidade para garantir a pureza e as propriedades mecânicas do produto final. ‌)

2. Derretimento e Purificação

(As matérias-primas selecionadas de tungstênio são derretidas em um ambiente controlado para remover impurezas e atingir a pureza desejada.)

3. Trefilagem

(O material de tungstênio purificado é extrudado ou trefilado através de uma série de matrizes para atingir o diâmetro do fio e as propriedades mecânicas necessárias.)

4. Recozimento

(O fio trefilado de tungstênio é recozido para eliminar tensões internas e melhorar sua ductilidade e desempenho de processamento ‌)

5. Processo de implantação iônica

Neste caso particular, o próprio filamento de tungstênio pode passar por um processo de implantação iônica, no qual íons são injetados na superfície do filamento de tungstênio para alterar suas propriedades e melhorar o desempenho do implantador iônico.)

Aplicativos

No processo de produção de chips semicondutores, a máquina de implantação iônica é um dos principais equipamentos usados ​​para transferir o diagrama de circuito do chip da máscara para o wafer de silício e atingir a função alvo do chip. Este processo inclui etapas como polimento químico-mecânico, deposição de filmes finos, fotolitografia, gravação e implantação iônica, entre as quais a implantação iônica é um dos meios importantes para melhorar o desempenho das pastilhas de silício. A aplicação de máquinas de implantação iônica controla efetivamente o tempo e o custo de produção de chips, ao mesmo tempo que melhora o desempenho e a confiabilidade dos chips. ‌

Implantação iônica de filamento de tungstênio (3)

Certificados

Depoimentos

1º dia
2º dia

Diagrama de envio

1
2
3
Implantação iônica de filamento de tungstênio (4)

Perguntas frequentes

O fio de tungstênio será contaminado durante a implantação iônica?

Sim, os filamentos de tungstênio são suscetíveis à contaminação durante o processo de implantação iônica. A contaminação pode ocorrer devido a uma variedade de fatores, como gases residuais, partículas ou impurezas presentes na câmara de implantação iônica. Esses contaminantes podem aderir à superfície do filamento de tungstênio, afetando sua pureza e potencialmente afetando o desempenho do processo de implantação iônica. Portanto, manter um ambiente limpo e controlado dentro da câmara de implantação iônica é fundamental para minimizar o risco de contaminação e garantir a integridade do filamento de tungstênio. Procedimentos regulares de limpeza e manutenção também podem ajudar a mitigar o potencial de contaminação durante a implantação iônica.

O fio de tungstênio se deformará durante a implantação iônica?

O fio de tungstênio é conhecido por seu alto ponto de fusão e excelentes propriedades mecânicas, que o tornam resistente à deformação sob condições normais de implantação iônica. No entanto, o calor gerado durante o bombardeio iônico de alta energia e a implantação iônica pode causar distorção ao longo do tempo, especialmente se os parâmetros do processo não forem cuidadosamente controlados.

Fatores como a intensidade e duração do feixe de íons e os níveis de temperatura e tensão experimentados pelo fio de tungstênio podem contribuir para o potencial de deformação. Além disso, quaisquer impurezas ou defeitos no fio de tungstênio irão agravar a suscetibilidade à deformação.

Para reduzir o risco de deformação, os parâmetros do processo devem ser cuidadosamente monitorados e controlados, a pureza e a qualidade do filamento de tungstênio devem ser garantidas e protocolos adequados de manutenção e inspeção devem ser implementados para o equipamento de implantação iônica. A avaliação regular da condição e do desempenho do fio de tungstênio pode ajudar a identificar quaisquer sinais de distorção e tomar medidas corretivas conforme necessário.


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