Filamento de tungstênio para implantação de íons de alta pureza
O fio de tungstênio para implantação iônica é um componente chave usado em máquinas de implantação iônica, principalmente em processos de fabricação de semicondutores. Este tipo de fio de tungstênio desempenha um papel importante em equipamentos semicondutores e sua qualidade e desempenho afetam diretamente a eficiência das linhas de processo de IC. A máquina de implantação de íons é um equipamento chave no processo de fabricação do VLSI (Circuito Integrado em Grande Escala), e o papel do fio de tungstênio como fonte de íons não pode ser ignorado.
Dimensões | Como seus desenhos |
Local de Origem | Luoyang, Henan |
Marca | FGD |
Aplicativo | semicondutor |
Superfície | Pele negra, lavagem alcalina, brilho de carro, polido |
Pureza | 99,95% |
Material | W1 |
Densidade | 19,3g/cm3 |
Padrões de execução | GB/T 4181-2017 |
Ponto de fusão | 3400 ℃ |
Conteúdo de impurezas | 0,005% |
Componentes principais | W>99,95% |
Conteúdo de impurezas≤ | |
Pb | 0,0005 |
Fe | 0,0020 |
S | 0,0050 |
P | 0,0005 |
C | 0,01 |
Cr | 0,0010 |
Al | 0,0015 |
Cu | 0,0015 |
K | 0,0080 |
N | 0,003 |
Sn | 0,0015 |
Si | 0,0020 |
Ca | 0,0015 |
Na | 0,0020 |
O | 0,008 |
Ti | 0,0010 |
Mg | 0,0010 |
1. Nossa fábrica está localizada na cidade de Luoyang, província de Henan. Luoyang é uma área de produção de minas de tungstênio e molibdênio, por isso temos vantagens absolutas em qualidade e preço;
2. Nossa empresa conta com pessoal técnico com mais de 15 anos de experiência, e oferecemos soluções e sugestões direcionadas às necessidades de cada cliente.
3. Todos os nossos produtos passam por rigorosa inspeção de qualidade antes de serem exportados.
4. Se você receber produtos com defeito, entre em contato conosco para obter um reembolso.
1. Seleção de matéria-prima
(Selecione matérias-primas de tungstênio de alta qualidade para garantir a pureza e as propriedades mecânicas do produto final. )
2. Derretimento e Purificação
(As matérias-primas selecionadas de tungstênio são derretidas em um ambiente controlado para remover impurezas e atingir a pureza desejada.)
3. Trefilagem
(O material de tungstênio purificado é extrudado ou trefilado através de uma série de matrizes para atingir o diâmetro do fio e as propriedades mecânicas necessárias.)
4. Recozimento
(O fio trefilado de tungstênio é recozido para eliminar tensões internas e melhorar sua ductilidade e desempenho de processamento )
5. Processo de implantação iônica
Neste caso particular, o próprio filamento de tungstênio pode passar por um processo de implantação iônica, no qual íons são injetados na superfície do filamento de tungstênio para alterar suas propriedades e melhorar o desempenho do implantador iônico.)
No processo de produção de chips semicondutores, a máquina de implantação iônica é um dos principais equipamentos usados para transferir o diagrama de circuito do chip da máscara para o wafer de silício e atingir a função alvo do chip. Este processo inclui etapas como polimento químico-mecânico, deposição de filmes finos, fotolitografia, gravação e implantação iônica, entre as quais a implantação iônica é um dos meios importantes para melhorar o desempenho das pastilhas de silício. A aplicação de máquinas de implantação iônica controla efetivamente o tempo e o custo de produção de chips, ao mesmo tempo que melhora o desempenho e a confiabilidade dos chips.
Sim, os filamentos de tungstênio são suscetíveis à contaminação durante o processo de implantação iônica. A contaminação pode ocorrer devido a uma variedade de fatores, como gases residuais, partículas ou impurezas presentes na câmara de implantação iônica. Esses contaminantes podem aderir à superfície do filamento de tungstênio, afetando sua pureza e potencialmente afetando o desempenho do processo de implantação iônica. Portanto, manter um ambiente limpo e controlado dentro da câmara de implantação iônica é fundamental para minimizar o risco de contaminação e garantir a integridade do filamento de tungstênio. Procedimentos regulares de limpeza e manutenção também podem ajudar a mitigar o potencial de contaminação durante a implantação iônica.
O fio de tungstênio é conhecido por seu alto ponto de fusão e excelentes propriedades mecânicas, que o tornam resistente à deformação sob condições normais de implantação iônica. No entanto, o calor gerado durante o bombardeio iônico de alta energia e a implantação iônica pode causar distorção ao longo do tempo, especialmente se os parâmetros do processo não forem cuidadosamente controlados.
Fatores como a intensidade e duração do feixe de íons e os níveis de temperatura e tensão experimentados pelo fio de tungstênio podem contribuir para o potencial de deformação. Além disso, quaisquer impurezas ou defeitos no fio de tungstênio irão agravar a suscetibilidade à deformação.
Para reduzir o risco de deformação, os parâmetros do processo devem ser cuidadosamente monitorados e controlados, a pureza e a qualidade do filamento de tungstênio devem ser garantidas e protocolos adequados de manutenção e inspeção devem ser implementados para o equipamento de implantação iônica. A avaliação regular da condição e do desempenho do fio de tungstênio pode ajudar a identificar quaisquer sinais de distorção e tomar medidas corretivas conforme necessário.