Sputter ပစ်မှတ်များရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အငွေ့ပြန်ခြင်း (PVD) လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ပါးလွှာသော ဖလင်များကို အလွှာများပေါ်သို့ အပ်နှံရန် အသုံးပြုသည့် ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ပစ်မှတ်ကို စွမ်းအင်မြင့် အိုင်းယွန်းများဖြင့် ဗုံးကြဲထားသဖြင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်မှ အက်တမ်များကို ထုတ်လွှတ်စေသည်။ ထို့နောက် အဆိုပါဖျန်းထားသော အက်တမ်များကို ပါးလွှာသော အလွှာတစ်ခုအဖြစ် ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ Sputtering ပစ်မှတ်များကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ၊ ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် အခြားသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးများသည်။ ၎င်းတို့ကို သတ္တုစပ်၊ သတ္တုစပ် သို့မဟုတ် ဒြပ်ပေါင်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး အပ်နှံထားသော ရုပ်ရှင်၏ အလိုရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် အခြေခံ၍ ရွေးချယ်ထားသည်။

sputtering လုပ်ငန်းစဉ်သည် အောက်ပါတို့အပါအဝင် ကန့်သတ်ချက်များအများအပြားကြောင့် ထိခိုက်ပါသည်။

1. Sputtering ပါဝါ- sputtering လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အသုံးပြုသည့် ပါဝါပမာဏသည် sputtered ions ၏ စွမ်းအင်ကို သက်ရောက်မည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် sputtering rate ကို ထိခိုက်စေပါသည်။

2. Sputtering gas pressure- အခန်းအတွင်းရှိ sputtering gas ၏ ဖိအားသည် sputtered ions များ၏ အရှိန်အဟုန် လွှဲပြောင်းမှုကို သက်ရောက်စေပြီး sputtering rate နှင့် film performance ကို ထိခိုက်စေပါသည်။

3. ပစ်မှတ်ဂုဏ်သတ္တိများ- ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းမှု၊ မာကျောမှု၊ အရည်ပျော်မှတ်စသည်တို့ကဲ့သို့သော sputtering ပစ်မှတ်၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများသည် sputtering process နှင့် deposited film ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။

4. ပစ်မှတ်နှင့် အလွှာကြားရှိ အကွာအဝေး- sputtering target နှင့် substrate အကြားအကွာအဝေးသည် sputtered atoms ၏ လမ်းကြောင်းနှင့် စွမ်းအင်ကို အကျိုးသက်ရောက်မည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် ဖလင်၏ အစစ်ခံနှုန်းနှင့် တူညီမှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။

5. ပါဝါသိပ်သည်းဆ- ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်သို့ သက်ရောက်သည့် ပါဝါသိပ်သည်းဆသည် sputtering rate နှင့် sputtering လုပ်ငန်းစဉ်၏ ထိရောက်မှုကို သက်ရောက်မှုရှိသည်။

ဤကန့်သတ်ချက်များကို ဂရုတစိုက်ထိန်းချုပ်ပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့်၊ အလိုရှိသောရုပ်ရှင်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် စုဆောင်းမှုနှုန်းများရရှိရန် sputtering လုပ်ငန်းစဉ်ကို အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည်။