လေဟာနယ်အပေါ်ယံပိုင်းအတွက် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော တိုက်တေနီယမ်စပတာပစ်မှတ်

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

တိုက်တေနီယမ်၏ ပါးလွှာသော ဖလင်များကို အလွှာများပေါ်သို့ အပ်နှံရန်အတွက် တိုက်တေနီယမ် စပတာပစ်မှတ်များကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်း (PVD) လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြုပါသည်။ သန့်စင်မြင့်မားသော တိုက်တေနီယမ်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် အဆိုပါပစ်မှတ်များကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်း၊ အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် အလင်းအလွှာအပေါ်ယံပိုင်းဆိုင်ရာ ပါးလွှာသောဖလင်များ အပ်နှံခြင်းနှင့် မျက်နှာပြင် အင်ဂျင်နီယာလုပ်ငန်းစသည့် အသုံးချမှုများတွင် အသုံးပြုပါသည်။


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

  • Sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်းဆိုတာဘာလဲ။

Sputter ပစ်မှတ်များသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD) လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုသည့် သန့်စင်မှုမြင့်မားသောပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး အထူးသဖြင့် sputtering နည်းပညာဖြစ်သည်။ ဤပစ္စည်းများကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်း၊ optical coatings နှင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် ပါးလွှာသောဖလင်များ စုဆောင်းခြင်းအပါအဝင် စက်မှုလုပ်ငန်းအမျိုးမျိုးတွင် ပါးလွှာသောဖလင်ပြားများကို ဖန်တီးရန် အသုံးပြုပါသည်။

Sputter ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများကို သတ္တုများ၊ သတ္တုစပ်များ၊ အောက်ဆိုဒ်များနှင့် နိုက်ထရိုက်များအပါအဝင် ဒြပ်စင်များနှင့် ဒြပ်ပေါင်းအမျိုးမျိုးဖြင့် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ Sputter ပစ်မှတ်ပစ္စည်းရွေးချယ်မှုသည် လျှပ်စစ်စီးကူးမှု၊ အလင်းဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများ၊ မာကျောမှုနှင့် ဓာတုဗေဒခံနိုင်ရည်စသည့် ပါးလွှာသောဖလင်အပေါ်ယံပိုင်းအတွက် လိုအပ်သည့် သီးခြားဂုဏ်သတ္တိများပေါ်တွင် မူတည်သည်။

အသုံးများသော sputtering ပစ်မှတ်များတွင် တိုက်တေနီယမ်၊ အလူမီနီယမ်နှင့် ကြေးနီကဲ့သို့သော သတ္တုများ၊ အင်ဒီယမ်သံဖြူအောက်ဆိုဒ် (ITO) နှင့် သတ္တုအောက်ဆိုဒ်အမျိုးမျိုးတို့ပါဝင်သည်။ သင့်လျော်သော sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို ရွေးချယ်ခြင်းသည် ပါးလွှာသော ဖလင်အပေါ်ယံပိုင်းများ၏ လိုချင်သော ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

တိုက်တေနီယမ် ပစ်မှတ်(၂)ခု၊
  • Sputtering ပစ်မှတ်က ဘယ်လောက်အရွယ်အစားလဲ။

Sputtering ပစ်မှတ်များသည် ပါးလွှာသော ဖလင်စုဆောင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် sputtering ကိရိယာများ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များပေါ်မူတည်၍ အရွယ်အစားအမျိုးမျိုးရှိသည်။ sputtering ပစ်မှတ်၏ အရွယ်အစားသည် အချင်း စင်တီမီတာ အနည်းငယ်မှ ဆယ်စင်တီမီတာအထိ ရှိနိုင်ပြီး အထူလည်း ကွဲပြားနိုင်သည်။

sputtering ပစ်မှတ်၏အရွယ်အစားကို coated လုပ်မည့် substrate ၏အရွယ်အစား၊ sputtering system ၏ဖွဲ့စည်းပုံ၊ နှင့် အလိုရှိသော deposition rate နှင့် uniformity စသည့်အချက်များဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ပါးလွှာသောဖလင်အပလီကေးရှင်း၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များဖြစ်သည့် sputtering ပစ်မှတ်၏ အရွယ်အစားကို ဖုံးအုပ်ထားရမည့် ဧရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံး ကန့်သတ်ချက်များကဲ့သို့ သက်ရောက်မှုရှိနိုင်သည်။

နောက်ဆုံးတွင်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်း၊ optical coatings နှင့် အခြားဆက်စပ်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် ပါးလွှာသောဖလင်အပေါ်ယံပိုင်းလုပ်ငန်းစဉ်၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီမှုရှိစေရန်အတွက် sputter ပစ်မှတ်၏ အရွယ်အစားကို ရွေးချယ်ထားသည်။

တိုက်တေနီယမ် ပစ်မှတ် (၃)ခု၊
  • ကျွန်ုပ်၏ sputtering နှုန်းကို မည်သို့မြှင့်တင်နိုင်မည်နည်း။

sputtering လုပ်ငန်းစဉ်တွင် sputtering rate ကို တိုးမြှင့်ရန် နည်းလမ်းများစွာ ရှိပါသည်။

1. ပါဝါနှင့် ဖိအားကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း- sputtering စနစ်ရှိ ပါဝါနှင့် ဖိအားဘောင်များကို ချိန်ညှိခြင်းသည် sputtering rate ကို သက်ရောက်မှုရှိနိုင်သည်။ ပါဝါတိုးမြှင့်ခြင်းနှင့် ဖိအားအခြေအနေများကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် ပါးလွှာသောဖလင်များကို မြန်မြန်ထုတ်ယူနိုင်စေပြီး sputtering rate ကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပါသည်။

2. ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် ဂျီသြမေတြီ- ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ဂျီသြမေတြီတို့ဖြင့် sputtering ပစ်မှတ်များကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် sputtering rate ကို တိုးတက်စေနိုင်သည်။ အရည်အသွေးမြင့်၊ ကောင်းမွန်စွာ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော sputtering ပစ်မှတ်များသည် sputtering ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး စုဆောင်းမှုနှုန်း ပိုမိုမြင့်မားလာစေသည်။

3. ပစ်မှတ် မျက်နှာပြင် ပြင်ဆင်မှု- sputtering ပစ်မှတ် မျက်နှာပြင်ကို သင့်လျော်သော သန့်ရှင်းရေးနှင့် အေးစက်စေခြင်းသည် sputtering နှုန်းကို တိုးမြင့်စေပါသည်။ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်အား ညစ်ညမ်းစေသော အောက်ဆိုဒ်များ ကင်းစင်စေရန် သေချာစေခြင်းဖြင့် sputtering efficiency ကို တိုးတက်စေနိုင်ပါသည်။

4. Substrate Temperature- အလွှာအပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်ခြင်းသည် sputtering rate ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ အချို့ကိစ္စများတွင်၊ အချို့သောအကွာအဝေးတစ်ခုအတွင်း အလွှာအပူချိန်ကို မြှင့်တင်ခြင်းသည် sputtering rate တိုးမြင့်လာပြီး ဖလင်အရည်အသွေး ပိုမိုကောင်းမွန်လာစေသည်။

5. ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့် ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းမှု- sputtering chamber ရှိ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့် ပါဝင်မှုကို ကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းသည် sputtering rate ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှုန်းကို ချိန်ညှိခြင်းနှင့် သင့်လျော်သော sputtering ဓာတ်ငွေ့အရောအနှောများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် sputtering လုပ်ငန်းစဉ်၏ ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်နိုင်ပါသည်။

ဤအချက်များကို ဂရုတစိုက်ထည့်သွင်းစဉ်းစားပြီး sputtering process parameters များကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့်၊ sputtering app များတွင် ပါးလွှာသောဖလင်များစုပုံခြင်း၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေနိုင်သည်။

တိုက်တေနီယမ် sputtering ပစ်မှတ်

ကျွန်ုပ်တို့ကို ဆက်သွယ်ရန် လွပ်လပ်စွာခံစားပါ။

Wechat: 15138768150

WhatsApp- +86 15838517324

E-mail :  jiajia@forgedmoly.com


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။