Sasaran sputteradalah bahan yang digunakan untuk mendepositkan filem nipis ke substrat semasa proses pemendapan wap fizikal (PVD). Bahan sasaran dihujani dengan ion bertenaga tinggi, menyebabkan atom terlontar dari permukaan sasaran. Atom-atom yang disembur ini kemudian didepositkan ke substrat, membentuk filem nipis. Sasaran sputtering biasanya digunakan dalam pengeluaran semikonduktor, sel solar dan peranti elektronik lain. Ia biasanya diperbuat daripada logam, aloi atau sebatian yang dipilih berdasarkan sifat yang dikehendaki bagi filem terdeposit.

Proses sputtering dipengaruhi oleh beberapa parameter, termasuk:

1. Kuasa sputtering: Jumlah kuasa yang digunakan semasa proses sputtering akan menjejaskan tenaga ion sputtered, dengan itu menjejaskan kadar sputtering.

2. Tekanan gas sputtering: Tekanan gas sputtering dalam ruang mempengaruhi pemindahan momentum ion sputtered, dengan itu menjejaskan kadar sputtering dan prestasi filem.

3. Sifat sasaran: Sifat fizikal dan kimia sasaran sputtering, seperti komposisi, kekerasan, takat lebur, dsb., boleh menjejaskan proses sputtering dan prestasi filem terdeposit.

4. Jarak antara sasaran dan substrat: Jarak antara sasaran sputtering dan substrat akan menjejaskan trajektori dan tenaga atom terpercik, dengan itu menjejaskan kadar pemendapan dan keseragaman filem.

5. Ketumpatan kuasa: Ketumpatan kuasa yang digunakan pada permukaan sasaran mempengaruhi kadar sputtering dan kecekapan proses sputtering.

Dengan mengawal dan mengoptimumkan parameter ini dengan teliti, proses sputtering boleh disesuaikan untuk mencapai sifat filem dan kadar pemendapan yang dikehendaki.