Target tergagapadalah bahan yang digunakan untuk menyimpan film tipis ke substrat selama proses deposisi uap fisik (PVD). Bahan target dibombardir dengan ion berenergi tinggi, menyebabkan atom terlontar dari permukaan target. Atom-atom yang disemprotkan ini kemudian diendapkan ke substrat, membentuk lapisan tipis. Target sputtering biasanya digunakan dalam produksi semikonduktor, sel surya, dan perangkat elektronik lainnya. Biasanya terbuat dari logam, paduan atau senyawa yang dipilih berdasarkan sifat yang diinginkan dari film yang diendapkan.

Proses sputtering dipengaruhi oleh beberapa parameter, antara lain:

1. Daya sputtering: Besarnya daya yang diterapkan selama proses sputtering akan mempengaruhi energi ion-ion yang tersputasi, sehingga mempengaruhi laju sputtering.

2. Tekanan gas sputtering: Tekanan gas sputtering di dalam ruangan mempengaruhi perpindahan momentum ion-ion yang tersputasi, sehingga mempengaruhi laju sputtering dan kinerja film.

3. Sifat target: Sifat fisik dan kimia target sputtering, seperti komposisi, kekerasan, titik leleh, dll., dapat mempengaruhi proses sputtering dan kinerja film yang diendapkan.

4. Jarak antara target dan substrat: Jarak antara target sputtering dan substrat akan mempengaruhi lintasan dan energi atom yang tersputasi, sehingga mempengaruhi laju deposisi dan keseragaman film.

5. Kepadatan daya: Kepadatan daya yang diterapkan pada permukaan target mempengaruhi laju sputtering dan efisiensi proses sputtering.

Dengan mengontrol dan mengoptimalkan parameter ini secara hati-hati, proses sputtering dapat disesuaikan untuk mencapai sifat film dan laju deposisi yang diinginkan.