Target sputtering titanium dengan kemurnian tinggi untuk pelapisan vakum
Target sputter adalah bahan dengan kemurnian tinggi yang digunakan dalam proses pengendapan uap fisik (PVD), khususnya teknologi sputtering.Bahan-bahan ini digunakan untuk membentuk film tipis pada substrat di berbagai industri, termasuk manufaktur semikonduktor, pelapis optik, dan pengendapan film tipis untuk perangkat elektronik.
Bahan target sputter dapat dibuat dari berbagai unsur dan senyawa, termasuk logam, paduan, oksida, dan nitrida.Pemilihan bahan target sputter bergantung pada sifat spesifik yang diperlukan untuk pelapisan film tipis, seperti konduktivitas listrik, sifat optik, kekerasan dan ketahanan kimia.
Target sputtering yang umum mencakup logam seperti titanium, aluminium, dan tembaga, serta senyawa seperti indium tin oxide (ITO) dan berbagai oksida logam.Memilih bahan target sputtering yang tepat sangat penting untuk mencapai karakteristik dan kinerja lapisan film tipis yang diinginkan.
Target sputtering tersedia dalam berbagai ukuran tergantung pada persyaratan spesifik dari proses pengendapan film tipis dan peralatan sputtering.Ukuran target sputtering bisa berkisar dari beberapa sentimeter hingga puluhan sentimeter, dan ketebalannya juga bisa bervariasi.
Ukuran target sputtering ditentukan oleh faktor-faktor seperti ukuran substrat yang akan dilapisi, konfigurasi sistem sputtering, serta laju deposisi dan keseragaman yang diinginkan.Selain itu, ukuran target sputtering mungkin dipengaruhi oleh persyaratan spesifik aplikasi film tipis, seperti area yang akan dilapisi dan parameter proses secara keseluruhan.
Pada akhirnya, ukuran target sputter dipilih untuk memastikan deposisi film yang efisien dan seragam ke substrat, memenuhi kebutuhan spesifik proses pelapisan film tipis dalam manufaktur semikonduktor, pelapis optik, dan aplikasi terkait lainnya.
Ada beberapa cara untuk meningkatkan laju sputtering dalam proses sputtering:
1. Optimasi Daya dan Tekanan: Menyesuaikan parameter daya dan tekanan dalam sistem sputtering dapat memengaruhi laju sputtering.Meningkatkan daya dan mengoptimalkan kondisi tekanan dapat meningkatkan laju sputtering, sehingga mempercepat pengendapan film tipis.
2. Bahan Target dan Geometri: Menggunakan target sputtering dengan komposisi bahan dan geometri yang dioptimalkan dapat meningkatkan laju sputtering.Target sputtering yang berkualitas tinggi dan dirancang dengan baik dapat meningkatkan efisiensi sputtering dan menghasilkan tingkat deposisi yang lebih tinggi.
3. Persiapan Permukaan Target: Pembersihan dan pengkondisian yang tepat pada permukaan target sputtering dapat berkontribusi terhadap peningkatan laju sputtering.Memastikan permukaan target bebas dari kontaminan dan oksida dapat meningkatkan efisiensi sputtering.
4. Suhu Substrat: Mengontrol suhu media dapat memengaruhi laju sputtering.Dalam beberapa kasus, menaikkan suhu media dalam rentang tertentu dapat meningkatkan laju sputtering dan meningkatkan kualitas film.
5. Aliran dan Komposisi Gas: Mengoptimalkan aliran dan komposisi gas dalam ruang sputtering dapat mempengaruhi laju sputtering.Menyesuaikan laju aliran gas dan menggunakan campuran gas sputtering yang tepat dapat meningkatkan efisiensi proses sputtering.
Dengan hati-hati mempertimbangkan faktor-faktor ini dan mengoptimalkan parameter proses sputtering, laju sputtering dapat ditingkatkan dan efisiensi pengendapan film tipis secara keseluruhan dalam aplikasi sputtering dapat ditingkatkan.
Wechat：15138768150
WhatsApp: +86 15838517324
E-mail : jiajia@forgedmoly.com
