मोलिब्डेनम लक्ष्य सामग्री का व्यापक रूप से अर्धचालक क्षेत्र में उपयोग किया जाता है

संक्षिप्त वर्णन:

सेमीकंडक्टर निर्माण: सेमीकंडक्टर उद्योग में, मोलिब्डेनम लक्ष्य का उपयोग आमतौर पर सर्किट के लिए प्रवाहकीय या बाधा परतों के रूप में भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) और अन्य प्रौद्योगिकियों के माध्यम से पतली फिल्मों के निर्माण के लिए किया जाता है।


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

मोलिब्डेनम लक्ष्य सामग्री की उत्पादन विधि

1. मोलिब्डेनम पाउडर की शुद्धता 99.95% से अधिक या उसके बराबर है। मोलिब्डेनम पाउडर का घनत्व उपचार गर्म दबाने वाली सिंटरिंग प्रक्रिया का उपयोग करके किया गया था, और मोलिब्डेनम पाउडर को मोल्ड में रखा गया था; मोल्ड को गर्म दबाने वाली सिंटरिंग भट्टी में रखने के बाद, गर्म दबाने वाली सिंटरिंग भट्टी को वैक्यूम करें; हॉट प्रेस सिंटरिंग फर्नेस के तापमान को 1200-1500 ℃ तक समायोजित करें, 20 एमपीए से अधिक दबाव के साथ, और 2-5 घंटे तक इन्सुलेशन और दबाव बनाए रखें; पहला मोलिब्डेनम लक्ष्य बिलेट बनाना;

2. पहले मोलिब्डेनम लक्ष्य बिलेट पर हॉट रोलिंग उपचार करें, पहले मोलिब्डेनम लक्ष्य बिलेट को 1200-1500 ℃ तक गर्म करें, और फिर दूसरा मोलिब्डेनम लक्ष्य बिलेट बनाने के लिए रोलिंग उपचार करें;

3. हॉट रोलिंग उपचार के बाद, दूसरे मोलिब्डेनम लक्ष्य सामग्री को तापमान को 800-1200 ℃ तक समायोजित करके और मोलिब्ड बनाने के लिए 2-5 घंटे तक पकड़कर रखा जाता है।डेनम लक्ष्य सामग्री.

का उपयोगमोलिब्डेनम लक्ष्य सामग्री

मोलिब्डेनम लक्ष्य विभिन्न सब्सट्रेट्स पर पतली फिल्में बना सकते हैं और इलेक्ट्रॉनिक घटकों और उत्पादों में व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं।

मोलिब्डेनम स्पटरड लक्ष्य सामग्री का प्रदर्शन

मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य सामग्री का प्रदर्शन इसके स्रोत सामग्री (शुद्ध मोलिब्डेनम या मोलिब्डेनम मिश्र धातु) के समान है। मोलिब्डेनम एक धातु तत्व है जिसका उपयोग मुख्य रूप से स्टील के लिए किया जाता है। औद्योगिक मोलिब्डेनम ऑक्साइड को दबाने के बाद, इसका अधिकांश भाग सीधे स्टील बनाने या कच्चा लोहा बनाने के लिए उपयोग किया जाता है। मोलिब्डेनम की एक छोटी मात्रा को मोलिब्डेनम आयरन या मोलिब्डेनम फ़ॉइल में पिघलाया जाता है और फिर स्टील बनाने के लिए उपयोग किया जाता है। यह मिश्र धातुओं की ताकत, कठोरता, वेल्डेबिलिटी, क्रूरता, साथ ही उच्च तापमान और संक्षारण प्रतिरोध में सुधार कर सकता है।

 

फ्लैट पैनल डिस्प्ले में मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य सामग्री का अनुप्रयोग

इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग में, मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य का अनुप्रयोग मुख्य रूप से फ्लैट पैनल डिस्प्ले, पतली-फिल्म सौर सेल इलेक्ट्रोड और वायरिंग सामग्री, साथ ही अर्धचालक बाधा परत सामग्री पर केंद्रित है। ये सामग्रियां उच्च गलनांक, उच्च चालकता और कम विशिष्ट प्रतिबाधा मोलिब्डेनम पर आधारित हैं, जिनमें अच्छा संक्षारण प्रतिरोध और पर्यावरणीय प्रदर्शन है। मोलिब्डेनम में क्रोमियम के केवल आधे विशिष्ट प्रतिबाधा और फिल्म तनाव के फायदे हैं, और इसमें पर्यावरण प्रदूषण का कोई मुद्दा नहीं है, जो इसे फ्लैट पैनल डिस्प्ले में स्पटरिंग लक्ष्य के लिए पसंदीदा सामग्रियों में से एक बनाता है। इसके अलावा, एलसीडी घटकों में मोलिब्डेनम तत्वों को जोड़ने से एलसीडी की चमक, कंट्रास्ट, रंग और जीवनकाल में काफी सुधार हो सकता है।

 

पतली फिल्म सौर फोटोवोल्टिक कोशिकाओं में मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य सामग्री का अनुप्रयोग

CIGS एक महत्वपूर्ण प्रकार का सौर सेल है जिसका उपयोग सूर्य के प्रकाश को बिजली में परिवर्तित करने के लिए किया जाता है। CIGS चार तत्वों से बना है: तांबा (Cu), इंडियम (In), गैलियम (Ga), और सेलेनियम (Se)। इसका पूरा नाम कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनियम थिन फिल्म सोलर सेल है। सीआईजीएस में मजबूत प्रकाश अवशोषण क्षमता, अच्छी बिजली उत्पादन स्थिरता, उच्च रूपांतरण दक्षता, लंबे समय तक बिजली उत्पादन समय, बड़ी बिजली उत्पादन क्षमता, कम उत्पादन लागत और कम ऊर्जा पुनर्प्राप्ति अवधि के फायदे हैं।

 

सीआईजीएस पतली फिल्म बैटरियों की इलेक्ट्रोड परत बनाने के लिए मोलिब्डेनम लक्ष्य का मुख्य रूप से छिड़काव किया जाता है। मोलिब्डेनम सौर सेल के निचले भाग में स्थित होता है। सौर कोशिकाओं के पिछले संपर्क के रूप में, यह सीआईजीएस पतली फिल्म क्रिस्टल के न्यूक्लियेशन, विकास और आकारिकी में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।

 

टच स्क्रीन के लिए मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य

मोलिब्डेनम नाइओबियम (MoNb) लक्ष्य का उपयोग स्पटरिंग कोटिंग के माध्यम से हाई-डेफिनिशन टेलीविजन, टैबलेट, स्मार्टफोन और अन्य मोबाइल उपकरणों में प्रवाहकीय, कवरिंग और अवरुद्ध परतों के रूप में किया जाता है।

पैरामीटर

प्रोडक्ट का नाम मोलिब्डेनम लक्ष्य सामग्री
सामग्री मो1
विनिर्देश स्वनिर्धारित
सतह काली त्वचा, क्षार से धुली हुई, पॉलिश की हुई।
तकनीक सिंटरिंग प्रक्रिया, मशीनिंग
गलनांक 2600℃
घनत्व 10.2 ग्राम/सेमी3

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