Sputter nga mga targetmao ang mga materyales nga gigamit sa pagdeposito sa nipis nga mga pelikula sa mga substrate sa panahon sa proseso sa physical vapor deposition (PVD). Ang target nga materyal gibombahan sa mga high-energy ions, hinungdan nga ang mga atomo ipagawas gikan sa target nga nawong. Kini nga mga gi-spray nga mga atomo dayon ibutang sa usa ka substrate, nga mahimong usa ka nipis nga pelikula. Ang mga target sa sputtering sagad gigamit sa paghimo sa mga semiconductor, solar cell ug uban pang mga elektronik nga aparato. Kasagaran kini gihimo sa mga metal, mga haluang metal o mga compound nga gipili base sa gitinguha nga mga kabtangan sa gitago nga pelikula.

Ang proseso sa sputtering apektado sa daghang mga parameter, lakip ang:

1. Sputtering power: Ang gidaghanon sa gahum nga gigamit sa panahon sa sputtering nga proseso makaapekto sa kusog sa sputtered ions, sa ingon makaapekto sa sputtering rate.

2. Sputtering gas pressure: Ang pressure sa sputtering gas sa chamber makaapekto sa momentum nga pagbalhin sa sputtered ions, sa ingon makaapekto sa sputtering rate ug film performance.

3. Target nga mga kabtangan: Ang pisikal ug kemikal nga mga kabtangan sa sputtering target, sama sa komposisyon niini, katig-a, pagkatunaw nga punto, ug uban pa, makaapektar sa proseso sa sputtering ug sa performance sa nadeposito nga pelikula.

4. Ang gilay-on tali sa target ug sa substrate: Ang gilay-on tali sa sputtering target ug sa substrate makaapekto sa trajectory ug kusog sa sputtered atoms, sa ingon makaapekto sa deposition rate ug uniformity sa pelikula.

5. Power density: Ang power density nga gipadapat sa target surface makaapekto sa sputtering rate ug sa efficiency sa sputtering process.

Pinaagi sa mabinantayon nga pagkontrol ug pag-optimize niini nga mga parameter, ang proseso sa sputtering mahimong ipahiangay aron makab-ot ang gitinguha nga mga kabtangan sa pelikula ug mga rate sa pagdeposito.