স্পুটার টার্গেটভৌত বাষ্প জমা (PVD) প্রক্রিয়া চলাকালীন সাবস্ট্রেটে পাতলা ফিল্ম জমা করতে ব্যবহৃত উপকরণ। লক্ষ্যবস্তুতে উচ্চ-শক্তি আয়ন দিয়ে বোমাবর্ষণ করা হয়, যার ফলে লক্ষ্য পৃষ্ঠ থেকে পরমাণু বের হয়ে যায়। এই স্প্রে করা পরমাণুগুলি তারপর একটি স্তরে জমা হয়, একটি পাতলা ফিল্ম তৈরি করে। স্পটারিং লক্ষ্যগুলি সাধারণত সেমিকন্ডাক্টর, সৌর কোষ এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক ডিভাইসের উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়। এগুলি সাধারণত ধাতু, সংকর ধাতু বা যৌগ দিয়ে তৈরি হয় যা জমাকৃত ফিল্মের পছন্দসই বৈশিষ্ট্যের উপর ভিত্তি করে নির্বাচন করা হয়।

স্পুটারিং প্রক্রিয়াটি বিভিন্ন পরামিতি দ্বারা প্রভাবিত হয়, যার মধ্যে রয়েছে:

1. স্পুটারিং পাওয়ার: স্পুটারিং প্রক্রিয়ার সময় যে পরিমাণ শক্তি প্রয়োগ করা হয় তা স্পুটারড আয়নের শক্তিকে প্রভাবিত করবে, যার ফলে স্পুটারিং হার প্রভাবিত হবে।

2. স্পুটারিং গ্যাসের চাপ: চেম্বারে স্পুটারিং গ্যাসের চাপ স্পুটারড আয়নগুলির ভরবেগ স্থানান্তরকে প্রভাবিত করে, যার ফলে স্পুটারিং রেট এবং ফিল্মের কর্মক্ষমতা প্রভাবিত হয়।

3. টার্গেট বৈশিষ্ট্য: স্পুটারিং টার্গেটের ভৌত এবং রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য, যেমন এর গঠন, কঠোরতা, গলনাঙ্ক ইত্যাদি, স্পুটারিং প্রক্রিয়া এবং জমা ফিল্মের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করতে পারে।

4. টার্গেট এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে দূরত্ব: স্পুটারিং টার্গেট এবং সাবস্ট্রেটের মধ্যে দূরত্ব স্পুটার করা পরমাণুর গতিপথ এবং শক্তিকে প্রভাবিত করবে, যার ফলে ফিল্মের জমার হার এবং অভিন্নতাকে প্রভাবিত করবে।

5. পাওয়ার ঘনত্ব: লক্ষ্য পৃষ্ঠের উপর প্রয়োগ করা শক্তির ঘনত্ব স্পুটারিং রেট এবং স্পুটারিং প্রক্রিয়ার দক্ষতাকে প্রভাবিত করে।

এই পরামিতিগুলিকে সাবধানে নিয়ন্ত্রণ এবং অপ্টিমাইজ করার মাধ্যমে, স্পুটারিং প্রক্রিয়াটি পছন্দসই ফিল্ম বৈশিষ্ট্য এবং জমার হার অর্জনের জন্য তৈরি করা যেতে পারে।