Sputter hədəfləriFiziki buxar çökdürmə (PVD) prosesi zamanı nazik təbəqələri substratlara qoymaq üçün istifadə olunan materiallardır. Hədəf material yüksək enerjili ionlarla bombalanır və atomların hədəf səthindən atılmasına səbəb olur. Bu püskürən atomlar daha sonra nazik bir film meydana gətirərək bir substratın üzərinə yerləşdirilir. Püskürtmə hədəfləri adətən yarımkeçiricilərin, günəş batareyalarının və digər elektron cihazların istehsalında istifadə olunur. Onlar adətən yatırılmış filmin istənilən xassələri əsasında seçilən metallardan, ərintilərdən və ya birləşmələrdən hazırlanır.

Püskürtmə prosesi bir neçə parametrdən təsirlənir, o cümlədən:

1. Püskürtmə gücü: Püskürtmə prosesi zamanı tətbiq olunan gücün miqdarı püskürən ionların enerjisinə təsir edəcək və bununla da püskürtmə sürətinə təsir edəcək.

2. Püskürtmə qazının təzyiqi: Kamerada püskürən qazın təzyiqi püskürən ionların impuls ötürülməsinə təsir edir və bununla da püskürtmə sürətinə və filmin performansına təsir edir.

3. Hədəf xassələri: Püskürtmə hədəfinin fiziki və kimyəvi xassələri, məsələn, tərkibi, sərtliyi, ərimə nöqtəsi və s. püskürtmə prosesinə və çökdürülmüş filmin işinə təsir göstərə bilər.

4. Hədəf və substrat arasındakı məsafə: Püskürtmə hədəfi ilə substrat arasındakı məsafə püskürən atomların trayektoriyasına və enerjisinə təsir edəcək və bununla da filmin çökmə sürətinə və vahidliyinə təsir edəcəkdir.

5. Güc sıxlığı: Hədəf səthinə tətbiq olunan güc sıxlığı püskürtmə sürətinə və püskürtmə prosesinin səmərəliliyinə təsir göstərir.

Bu parametrlərə diqqətlə nəzarət etmək və optimallaşdırmaqla, püskürtmə prosesi istənilən film xüsusiyyətlərinə və çökmə sürətinə nail olmaq üçün uyğunlaşdırıla bilər.