מאָליבדענום

טונגסטאַן

טאַטנלום

ניאָביום

קראָומיאַם

כאַרדנאַס (20 ℃)

דרוק-רעליעף אַנילד:＞

220 (HV10)

ריקריסטאַלליזעד ~ 160 - 180 [הוו 10]

דרוק-רעליעף אַנילד: ~460 (HV30)

ריקריסטאַלליזעד ＞360（HV30）

דיפאָרמעד: 120 - 220 [HV10]

רעקריסטאַלליזעד: 80 - 125 [HV10]

דיפאָרמעד: 110 - 180 [הוו10] ריקריסטאַלליזעד: 60 - 110 [הוו10]

180 - 250 [HV10]

ילאַסטיסאַטי מאָדולע (20 ℃)

320 [גפּאַ]

405 [גפּאַ]

186 [גפּאַ]

104 [גפּאַ]

294 [גפּאַ]

קאָואַפישאַנט פון לינעאַר טערמאַל יקספּאַנשאַן (20 ℃)

5.2 · 10^-6

[מ/(מ·ק)]

4.4 · 10^-6

[מ/(מ·ק)]

6.4 · 10^-6

[מ/(מ·ק)]

7.1 · 10^-6

[מ/(מ·ק)]

6.2 · 10^-6

[מ/(מ·ק)]

טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (20 ℃)

142 [וו/(מ · ק)]

164

[וו/(מ·ק)]

57.5

[וו/(מ·ק)]

53.7

[וו/(מ·ק)]

93.7

[וו/(מ·ק)]

ספּעציפיש היץ (20 ℃)

0.25

[דזש/(ג·ק)]

0.13

[דזש/(ג·ק)]

0.14 [דזש/(ג·ק)]

0.27

[דזש/(ג·ק)]

0,45

[דזש/(ג·ק)]

עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי (20 ℃)

17.9 · 10⁶

[1/(Ω·ם)]

18.2 · 10⁶

[1/(Ω·ם)]

8 · 10⁶[1/(Ω·ם)]

7.1 · 10⁶[1/(Ω·ם)]

7.9 · 10⁶

[1/(Ω·ם)]

ספּעציפיש עלעקטריקאַל קעגנשטעל (20 ℃)

0,056

[(Ω·מם²)/מ]

0.055

[(Ω·מם²)/מ]

0.125

[(Ω·מם²)/]

0.141

[(Ω·מם²)/מ]

0.127

[(Ω·מם²)/מ]

עלעקטראָן אַרבעט פֿונקציע

4,39 [eV]

4.54 [עוו]

4.3 [עוו]

4.3 [עוו]

4,5 [עוו]

רעקריסטאַלליזאַטיאָן

טעמפּעראַטור

1100℃

1350℃

900-1450 ℃

850 – 1,300 °C