Mataas na kadalisayan Ion implantation tungsten filament
Ang ion implantation tungsten wire ay isang pangunahing bahagi na ginagamit sa mga ion implantation machine, pangunahin sa mga proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang ganitong uri ng tungsten wire ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa semiconductor equipment, at ang kalidad at pagganap nito ay direktang nakakaapekto sa kahusayan ng mga linya ng proseso ng IC. Ang Ion implantation machine ay isang pangunahing kagamitan sa proseso ng pagmamanupaktura ng VLSI (Very Large Scale Integrated Circuit), at ang papel ng tungsten wire bilang pinagmumulan ng ion ay hindi maaaring balewalain. �
| Mga sukat | Tulad ng iyong mga guhit |
| Lugar ng Pinagmulan | Luoyang, Henan |
| Pangalan ng Brand | FGD |
| Aplikasyon | semiconductor |
| Ibabaw | Itim na balat, alkali wash, car shine, makintab |
| Kadalisayan | 99.95% |
| materyal | W1 |
| Densidad | 19.3g/cm3 |
| Mga pamantayan sa pagpapatupad | GB/T 4181-2017 |
| Natutunaw na punto | 3400 ℃ |
| nilalaman ng karumihan | 0.005% |
| Pangunahing bahagi | W＞99.95% |
| nilalaman ng karumihan≤ | |
| Pb | 0.0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0.0050 |
| P | 0.0005 |
| C | 0.01 |
| Cr | 0.0010 |
| Al | 0.0015 |
| Cu | 0.0015 |
| K | 0.0080 |
| N | 0.003 |
| Sn | 0.0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0.0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0.008 |
| Ti | 0.0010 |
| Mg | 0.0010 |
1. Ang aming pabrika ay matatagpuan sa Luoyang City, Henan Province. Ang Luoyang ay isang lugar ng produksyon para sa mga minahan ng tungsten at molibdenum, kaya mayroon kaming ganap na mga pakinabang sa kalidad at presyo;
2. Ang aming kumpanya ay may mga teknikal na tauhan na may higit sa 15 taong karanasan, at nagbibigay kami ng mga naka-target na solusyon at mungkahi para sa bawat pangangailangan ng customer.
3. Ang lahat ng aming mga produkto ay sumasailalim sa mahigpit na inspeksyon sa kalidad bago i-export.
4. Kung nakatanggap ka ng mga may sira na kalakal, maaari kang makipag-ugnayan sa amin para sa refund.
1. Pagpili ng hilaw na materyal
(Pumili ng mataas na kalidad na tungsten na hilaw na materyales upang matiyak ang kadalisayan at mekanikal na katangian ng panghuling produkto. )
2. Pagtunaw at Pagdalisay
(Ang mga napiling tungsten raw na materyales ay natutunaw sa isang kinokontrol na kapaligiran upang alisin ang mga dumi at makamit ang ninanais na kadalisayan.)
3. Wire drawing
(Purified tungsten material ay extruded o iginuhit sa pamamagitan ng isang serye ng mga dies upang makamit ang kinakailangang wire diameter at mechanical properties.)
4.Pagsusubo
(Ang iginuhit na tungsten wire ay na-annealed upang alisin ang panloob na stress at pagbutihin ang ductility at pagpoproseso nito )
5. Proseso ng Ion Implantation
Sa partikular na kaso, ang tungsten filament mismo ay maaaring sumailalim sa isang proseso ng pagtatanim ng ion, kung saan ang mga ion ay iniksyon sa ibabaw ng tungsten filament upang baguhin ang mga katangian nito upang mapahusay ang pagganap sa ion implanter.)
Sa proseso ng paggawa ng semiconductor chip, ang ion implantation machine ay isa sa mga pangunahing kagamitan na ginagamit upang ilipat ang chip circuit diagram mula sa mask patungo sa silicon wafer at makamit ang target na chip function. Kasama sa prosesong ito ang mga hakbang tulad ng chemical mechanical polishing, thin film deposition, photolithography, etching, at ion implantation, kung saan ang ion implantation ay isa sa mahalagang paraan upang mapabuti ang performance ng mga silicon wafers. Ang application ng ion implantation machine ay epektibong kinokontrol ang oras at gastos ng paggawa ng chip, habang pinapabuti ang pagganap at pagiging maaasahan ng mga chips. �
Oo, ang mga filament ng tungsten ay madaling kapitan ng kontaminasyon sa panahon ng proseso ng pagtatanim ng ion. Maaaring mangyari ang kontaminasyon dahil sa iba't ibang salik, tulad ng mga natitirang gas, particle, o impurities na nasa ion implantation chamber. Ang mga contaminant na ito ay maaaring sumunod sa ibabaw ng tungsten filament, na nakakaapekto sa kadalisayan nito at potensyal na nakakaapekto sa pagganap ng proseso ng pagtatanim ng ion. Samakatuwid, ang pagpapanatili ng malinis at kontroladong kapaligiran sa loob ng ion implantation chamber ay kritikal upang mabawasan ang panganib ng kontaminasyon at matiyak ang integridad ng tungsten filament. Ang mga regular na pamamaraan sa paglilinis at pagpapanatili ay maaari ding makatulong na mabawasan ang potensyal para sa kontaminasyon sa panahon ng pagtatanim ng ion.
Ang tungsten wire ay kilala para sa mataas na punto ng pagkatunaw nito at mahusay na mga mekanikal na katangian, na ginagawa itong lumalaban sa pagpapapangit sa ilalim ng normal na mga kondisyon ng pagtatanim ng ion. Gayunpaman, ang init na nabuo sa panahon ng high-energy ion bombardment at ion implantation ay maaaring magdulot ng distortion sa paglipas ng panahon, lalo na kung ang mga parameter ng proseso ay hindi maingat na kinokontrol.
Ang mga kadahilanan tulad ng intensity at tagal ng ion beam at ang temperatura at mga antas ng stress na nararanasan ng tungsten wire ay maaaring mag-ambag lahat sa potensyal para sa pagpapapangit. Bukod pa rito, ang anumang mga impurities o mga depekto sa tungsten wire ay magpapalala ng pagkamaramdamin sa pagpapapangit.
Upang mabawasan ang panganib ng pagpapapangit, ang mga parameter ng proseso ay dapat na maingat na subaybayan at kontrolin, ang kadalisayan at kalidad ng tungsten filament ay dapat matiyak, at ang naaangkop na pagpapanatili at inspeksyon na mga protocol ay dapat na ipatupad para sa ion implantation equipment. Ang regular na pagtatasa sa kondisyon at pagganap ng tungsten wire ay maaaring makatulong na matukoy ang anumang mga senyales ng distortion at magsagawa ng pagwawasto kung kinakailangan.
