99.95% Moni Tantalum Sputtering Target
Tantalum sputtering sini e masani lava ona gaosia i le fa'aogaina o faiga fa'ameamea.
I lenei auala, e fa'apipi'i le pa'u tantalum ma fa'aluma e fai ai se ipu tantalum malo. Ona fa'agasolo lea o laupepa fa'amama e ala i faiga eseese, e pei o le masini po'o le ta'avale, e maua ai le tele o lo'o mana'omia ma le fa'ai'uga. O le oloa mulimuli e faʻamamaina ma asiasia ina ia mautinoa e fetaui ma faʻamatalaga e manaʻomia mo le faʻaogaina o le sputtering. O lenei auala gaosiga e faʻamautinoa ai o loʻo i ai i le tantalum sputtering sini le mama talafeagai, density ma le microstructure e ausia ai le faʻatinoga sili ona lelei i faiga faʻapipiʻi ata manifinifi.
Tantalum sputtering sini e faʻaaogaina i le faʻaogaina o le sputter, o se auala e teu ai ata manifinifi o mea eseese i luga o se meaʻai. I le tulaga o tantalum sputtering sini, e faʻaaogaina e teu ai ata manifinifi tantalum i luga o le tele o luga, e pei o semiconductor wafers, faʻaaliga faʻapipiʻi, ma isi mea eletise. I le taimi o le faagasologa o le teuina o le sputter, o le tantalum sputtering target e osofaʻia e ions maualuga-malosi, ma mafua ai ona tuliesea tantalum atoms mai le taulaiga ma teuina i luga o le substrate i foliga o se ata manifinifi. O le faʻagasologa e faʻatagaina ai le pulea saʻo o le mafiafia o ata tifaga ma le tutusa, ma avea o se auala taua mo le gaosiga o masini eletise ma isi oloa tekonolosi. Tantalum sputtering sini e fa'atauaina mo le maualuga o le liusuavai, vaila'au inertness, ma le fetaui lelei ma le tele o mea fa'apipi'i, fa'apena lelei mo talosaga e mana'omia ai ata umi ma maualuga. O nei sini e masani ona faʻaaogaina i le gaosiga o capacitors, fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia ma isi masini eletise.
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