ලෝහකරණය සඳහා රික්ත වාෂ්පීකරණ තාක්‍ෂණයට ඉහළ රික්ත පරිසරයක් සහ භෞතික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීමේ (PVD) ක්‍රියාවලියක් භාවිතා කරමින් උපස්ථර මත තුනී ලෝහ පටල තැන්පත් කිරීම ඇතුළත් වේ.මෙම තාක්ෂණයේ දී, ඇලුමිනියම්, රන් හෝ රිදී වැනි ලෝහ මූලාශ්‍ර ද්‍රව්‍ය වාෂ්පීකරණ බෝට්ටුවක රත් කර එය වාෂ්ප වී පසුව උපස්ථරය මත ඝනීභවනය වී තුනී සහ ඒකාකාර ලෝහ පටලයක් සාදයි.

ලෝහකරණ රික්ත වාෂ්පීකරණ තාක්‍ෂණයට ඇතුළත් වන පියවර සාමාන්‍යයෙන් ඇතුළත් වන්නේ:

1. සකස් කිරීම: ලෝහකරණය කළ යුතු උපස්ථරය පිරිසිදු කර රික්තක කුටියේ තබන්න.

2. වාෂ්පීකරණය: ටංස්ටන් බෝට්ටුවක් වැනි වාෂ්පීකරණ බෝට්ටුවකට ලෝහ මූලාශ්‍ර ද්‍රව්‍ය දමා ඉහළ රික්ත පරිසරයක වාෂ්පීකරණ උෂ්ණත්වයට රත් කරන්න.ලෝහ වාෂ්ප වන විට, එය උපස්ථරය වෙත සරල රේඛාවක් ගමන් කරයි.

3. තැන්පත් වීම: ලෝහ වාෂ්ප උපස්ථරය මත ඝනීභවනය වී මතුපිටට ඇලෙන තුනී පටලයක් සාදයි.

4. පටල වර්ධනය: අපේක්ෂිත ලෝහ පටල ඝණකම ළඟා වන තුරු තැන්පත් කිරීමේ ක්රියාවලිය දිගටම පවතී.

5. පසුව සැකසීම: ලෝහකරණයෙන් පසුව, ලෝහ පටලයේ ගුණ වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා උපස්ථරය ඇනීල් කිරීම හෝ ආෙල්පනය වැනි අතිරේක සැකසුම් පියවරයන්ට භාජනය විය හැක.

රික්ත වාෂ්පීකරණ ලෝහකරණ තාක්‍ෂණය ඉලෙක්ට්‍රොනික, ප්‍රකාශ විද්‍යාව සහ මෝටර් රථ වැනි කර්මාන්තවල බහුලව භාවිතා වන අතර එහිදී සන්නායක, පරාවර්තක හෝ අලංකාර නිමාවක් ලබා ගැනීම සඳහා උපස්ථරවලට ලෝහ පටල යොදනු ලැබේ.