Molybdenum trioxide (MoO3) වැදගත් ද්විමාන (2-D) ද්‍රව්‍යයක් ලෙස විභවයක් ඇත, නමුත් එහි තොග නිෂ්පාදනය එහි පන්තියේ අනෙක් ඒවාට වඩා පසුගාමී වී ඇත. දැන්, A*STAR හි පර්යේෂකයන් විසින් ultrathin, උසස් තත්ත්වයේ MoO3 නැනෝෂීට් විශාල වශයෙන් නිපදවීම සඳහා සරල ක්‍රමයක් සකස් කර ඇත.

ග්‍රැෆීන් සොයා ගැනීමෙන් පසුව, සංක්‍රාන්ති ලෝහ di-chalcogenides වැනි අනෙකුත් 2-D ද්‍රව්‍ය සැලකිය යුතු අවධානයක් ආකර්ෂණය කර ගැනීමට පටන් ගත්තේය. විශේෂයෙන්ම, MoO3 වැදගත් 2-D අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයක් ලෙස මතු වූයේ ඉලෙක්ට්‍රොනික, දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික් සහ විද්‍යුත් ක්‍රොමික්ස් හි නව යෙදුම් මාලාවක් සඳහා පොරොන්දු වන එහි විශිෂ්ට විද්‍යුත් සහ දෘශ්‍ය ගුණාංග නිසාය.

Liu Hongfei සහ A*STAR ද්‍රව්‍ය පර්යේෂණ සහ ඉංජිනේරු ආයතනයේ සහ ඉහළ කාර්ය සාධන පරිගණක ආයතනයේ සගයන් නම්‍යශීලී සහ විනිවිද පෙනෙන MoO3 හි විශාල, උසස් තත්ත්වයේ නැනෝ තහඩු විශාල වශයෙන් නිෂ්පාදනය කිරීම සඳහා සරල තාක්‍ෂණයක් සංවර්ධනය කිරීමට උත්සාහ කර ඇත.

"මොලිබ්ඩිනම් ට්‍රයිඔක්සයිඩ් පරමාණුක වශයෙන් තුනී නැනෝෂීට් වල නව ගුණ ඇති අතර ඒවා ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදුම් පරාසයක භාවිතා කළ හැකිය" යනුවෙන් ලියු පවසයි. "නමුත් හොඳ තත්ත්වයේ නැනෝ තහඩු නිෂ්පාදනය කිරීමට, මව් ස්ඵටික ඉතා ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුක්ත විය යුතුය."

මුලින්ම තාප වාෂ්ප පරිවහනය නම් තාක්ෂණය භාවිතා කිරීමෙන්, පර්යේෂකයන් විසින් MoO3 කුඩු සෙල්සියස් අංශක 1,000 ක නල උදුනක වාෂ්ප කර ඇත. ඉන්පසුව, න්‍යෂ්ටික ස්ථාන සංඛ්‍යාව අඩු කිරීමෙන්, විශේෂිත උපස්ථරයක් අවශ්‍යතාවයකින් තොරව සෙල්සියස් අංශක 600කදී උසස් තත්ත්වයේ ස්ඵටික නිපදවීමට MoO3 හි තාප ගතික ස්ඵටිකීකරණයට වඩා හොඳින් ගැලපේ.

"සාමාන්‍යයෙන්, ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී ස්ඵටික වර්ධනයට උපස්ථරය බලපානවා" යනුවෙන් ලියු පැහැදිලි කරයි. "කෙසේ වෙතත්, චේතනාන්විත උපස්ථරයක් නොමැති විට, අපට ස්ඵටික වර්ධනය වඩා හොඳින් පාලනය කළ හැකි අතර, ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් සහ ගුණාත්මක බවින් යුත් molybdenum ට්‍රයිඔක්සයිඩ් ස්ඵටික වර්ධනය කිරීමට අපට ඉඩ සලසයි."

ස්ඵටික කාමර උෂ්ණත්වයට සිසිල් කිරීමෙන් පසුව, පර්යේෂකයන් විසින් MoO3 ස්ඵටිකවල submicron-ඝන පටි නිෂ්පාදනය කිරීම සඳහා යාන්ත්රික සහ ජලීය පිටකිරීම් භාවිතා කරන ලදී. ඔවුන් පටි ධ්වනිකරණයට සහ කේන්ද්‍රාපසාරීකරණයට ලක් කළ පසු, විශාල, උසස් තත්ත්වයේ MoO3 නැනෝ තහඩු නිෂ්පාදනය කිරීමට ඔවුන්ට හැකි විය.

මෙම කාර්යය 2-D MoO3 නැනෝ පත්‍රවල අන්තර් ස්ථර ඉලෙක්ට්‍රොනික අන්තර්ක්‍රියා පිළිබඳ නව අවබෝධයක් ලබා දී ඇත. කණ්ඩායම විසින් වර්ධනය කරන ලද ස්ඵටික වර්ධනය සහ පිටකිරීමේ ශිල්පීය ක්‍රම, 2-D විෂම සන්ධි සෑදීමෙන් 2-D ද්‍රව්‍යවල කලාප පරතරය-එම නිසා දෘශ්‍ය ඉලෙක්ට්‍රොනික ගුණාංග හැසිරවීමට උපකාරී වේ.

"අපි දැන් විශාල ප්‍රදේශ සහිත 2-D MoO3 නැනෝෂීට් නිපදවීමට උත්සාහ කරනවා, මෙන්ම ගෑස් සංවේදක වැනි වෙනත් උපාංගවල ඒවායේ විභව භාවිතය ගවේෂණය කරන්නෙමු," Liu පවසයි.