ඉහළ සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් අයන තැන්පත් කිරීම ටංස්ටන් සූත්‍රිකාව
අයන implantation ටංස්ටන් වයර් යනු අයන තැන්පත් කිරීමේ යන්ත්‍රවල, ප්රධාන වශයෙන් අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලීන්හි භාවිතා වන ප්රධාන අංගයකි. මෙම වර්ගයේ ටංස්ටන් වයර් අර්ධ සන්නායක උපකරණවල වැදගත් කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි, එහි ගුණාත්මකභාවය සහ කාර්ය සාධනය IC ක්‍රියාවලි රේඛාවල කාර්යක්ෂමතාවයට සෘජුවම බලපායි. අයන තැන්පත් කිරීමේ යන්ත්‍රය VLSI (ඉතා විශාල පරිමාණ ඒකාබද්ධ පරිපථය) නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියේ ප්රධාන උපකරණයක් වන අතර අයන ප්‍රභවයක් ලෙස ටංස්ටන් වයර් භූමිකාව නොසලකා හැරිය නොහැක. ය
| මානයන් | ඔබේ සිතුවම් ලෙස |
| සම්භවය ස්ථානය | Luoyang, Henan |
| වෙළඳ නාමය | FGD |
| යෙදුම | අර්ධ සන්නායක |
| මතුපිට | කළු සම, ක්ෂාර සේදීම, කාර් බැබළීම, ඔප දමා ඇත |
| පිරිසිදුකම | 99.95% |
| ද්රව්ය | W1 |
| ඝනත්වය | 19.3g/cm3 |
| ක්රියාත්මක කිරීමේ සම්මතයන් | GB/T 4181-2017 |
| ද්රවාංකය | 3400℃ |
| අපිරිසිදු අන්තර්ගතය | 0.005% |
| ප්රධාන සංරචක | W "99.95% |
| අපිරිසිදු අන්තර්ගතය≤ | |
| Pb | 0.0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0.0050 |
| P | 0.0005 |
| C | 0.01 |
| Cr | 0.0010 |
| Al | 0.0015 |
| Cu | 0.0015 |
| K | 0.0080 |
| N | 0.003 |
| Sn | 0.0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0.0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0.008 |
| Ti | 0.0010 |
| Mg | 0.0010 |
1. අපගේ කර්මාන්තශාලාව හෙනාන් පළාතේ ලුඔයැන්ග් නගරයේ පිහිටා ඇත. Luoyang යනු ටංස්ටන් සහ molybdenum පතල් සඳහා නිෂ්පාදන ප්රදේශයක් වන අතර, එම නිසා අපට ගුණාත්මකභාවය සහ මිලෙහි නිරපේක්ෂ වාසි ඇත;
2. අපගේ සමාගමට වසර 15 කට වැඩි පළපුරුද්දක් ඇති තාක්ෂණික පිරිස් සිටින අතර, අපි එක් එක් පාරිභෝගිකයාගේ අවශ්‍යතා සඳහා ඉලක්කගත විසඳුම් සහ යෝජනා සපයන්නෙමු.
3. අපගේ සියලුම නිෂ්පාදන අපනයනය කිරීමට පෙර දැඩි තත්ත්ව පරීක්ෂාවකට භාජනය වේ.
4. ඔබට දෝෂ සහිත භාණ්ඩ ලැබෙන්නේ නම්, ඔබට මුදල් ආපසු ලබා ගැනීම සඳහා අප හා සම්බන්ධ විය හැක.
1. අමු ද්රව්ය තෝරාගැනීම
(අවසාන නිෂ්පාදනයේ සංශුද්ධතාවය සහ යාන්ත්රික ගුණාංග සහතික කිරීම සඳහා උසස් තත්ත්වයේ ටංස්ටන් අමුද්‍රව්‍ය තෝරන්න.)
2. උණු කිරීම සහ පිරිසිදු කිරීම
(තෝරාගත් ටංස්ටන් අමුද්‍රව්‍ය අපද්‍රව්‍ය ඉවත් කර අපේක්ෂිත සංශුද්ධතාවය ලබා ගැනීම සඳහා පාලිත පරිසරයක උණු කරනු ලැබේ.)
3. වයර් ඇඳීම
(අවශ්‍ය වයර් විෂ්කම්භය සහ යාන්ත්රික ගුණ ලබා ගැනීම සඳහා පිරිසිදු කරන ලද ටංස්ටන් ද්රව්ය නිස්සාරණය කර හෝ ඩයිස් මාලාවක් හරහා ඇද ගනු ලැබේ.)
4.ඇනීල් කිරීම
(අඳින ලද ටංස්ටන් වයරය අභ්‍යන්තර ආතතිය තුරන් කිරීමට සහ එහි ductility සහ සැකසුම් කාර්ය සාධනය වැඩි දියුණු කිරීමට ඇනීල් කර ඇත.)
5. අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්රියාවලිය
මෙම විශේෂිත අවස්ථාවෙහිදී, ටංස්ටන් සූත්‍රිකාවම අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියකට භාජනය විය හැකි අතර, අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියකට භාජනය විය හැකි අතර, අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියට භාජනය විය හැකි අතර, අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියට අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියකට භාජනය විය හැකි අතර, අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේ ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා එහි ගුණාංග වෙනස් කිරීම සඳහා ටංස්ටන් සූත්‍රිකාවේ මතුපිටට අයන එන්නත් කරනු ලැබේ.)
අර්ධ සන්නායක චිප් නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියේදී, අයන තැන්පත් කිරීමේ යන්ත්‍රය යනු වෙස් මුහුණේ සිට සිලිකන් වේෆරය වෙත චිප් පරිපථ සටහන මාරු කිරීමට සහ ඉලක්ක චිප ක්‍රියාකාරිත්වය සාක්ෂාත් කර ගැනීමට භාවිතා කරන ප්රධාන උපකරණයකි. මෙම ක්‍රියාවලියට රසායනික යාන්ත්රික ඔප දැමීම, තුනී පටල තැන්පත් කිරීම, ෆොටෝලිතෝග්‍රැෆි, කැටයම් කිරීම සහ අයන තැන්පත් කිරීම වැනි පියවර ඇතුළත් වන අතර ඒ අතර අයන තැන්පත් කිරීම සිලිකන් වේෆර්වල ක්‍රියාකාරිත්වය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා වැදගත් මාධ්‍යයකි. අයන තැන්පත් කිරීමේ යන්ත්‍රවල යෙදීම චිප් නිෂ්පාදනයේ කාලය හා පිරිවැය ඵලදායී ලෙස පාලනය කරන අතරම චිප්ස්වල ක්‍රියාකාරීත්වය සහ විශ්වසනීයත්වය වැඩි දියුණු කරයි. ය
ඔව්, අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේදී ටංස්ටන් සූතිකා දූෂණයට ගොදුරු වේ. අයන තැන්පත් කිරීමේ කුටියේ පවතින අවශේෂ වායූන්, අංශු හෝ අපද්‍රව්‍ය වැනි විවිධ සාධක නිසා දූෂණය සිදුවිය හැක. මෙම අපවිත්‍ර ද්රව්ය ටංස්ටන් සූත්‍රිකාවේ මතුපිටට ඇලී සිටිය හැකි අතර, එහි සංශුද්ධතාවයට බලපාන අතර අයන තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේ ක්‍රියාකාරිත්වයට බලපෑම් කළ හැකිය. එබැවින්, අයන තැන්පත් කිරීමේ කුටිය තුළ පිරිසිදු හා පාලිත පරිසරයක් පවත්වා ගැනීම දූෂණය වීමේ අවදානම අවම කිරීම සහ ටංස්ටන් සූත්‍රිකාවේ අඛණ්ඩතාව සහතික කිරීම සඳහා ඉතා වැදගත් වේ. නිතිපතා පිරිසිදු කිරීම සහ නඩත්තු කිරීමේ ක්‍රියා පටිපාටි මගින් අයන තැන්පත් කිරීමේදී දූෂණය වීමේ හැකියාව අවම කර ගත හැකිය.
ටංස්ටන් වයර් එහි ඉහළ ද්රවාංකය සහ විශිෂ්ට යාන්ත්රික ලක්ෂණ සඳහා ප්රසිද්ධය, එය සාමාන්ය අයන තැන්පත් කිරීමේ තත්වයන් යටතේ විරූපණයට ඔරොත්තු දෙයි. කෙසේ වෙතත්, අධි ශක්ති අයන බෝම්බ හෙලීමේදී සහ අයන තැන්පත් කිරීමේදී ජනනය වන තාපය කාලයත් සමඟ විකෘති වීමට හේතු විය හැක, විශේෂයෙන් ක්‍රියාවලි පරාමිතීන් ප්‍රවේශමෙන් පාලනය නොකළහොත්.
අයන කදම්භයේ තීව්‍රතාවය සහ කාලසීමාව සහ ටංස්ටන් වයරය අත්විඳින උෂ්ණත්වය සහ ආතති මට්ටම් වැනි සාධක සියල්ල විරූපණයට ඇති හැකියාවට දායක විය හැක. මීට අමතරව, ටංස්ටන් වයර්වල ඇති යම් අපද්‍රව්‍ය හෝ දෝෂයන් විරූපණයට ගොදුරු වීමේ ප්‍රවණතාව උග්‍ර කරයි.
විකෘති වීමේ අවදානම අවම කිරීම සඳහා, ක්‍රියාවලි පරාමිතීන් ප්‍රවේශමෙන් අධීක්ෂණය කර පාලනය කළ යුතුය, ටංස්ටන් සූත්‍රිකාවේ සංශුද්ධතාවය සහ ගුණාත්මකභාවය සහතික කළ යුතුය, අයන තැන්පත් කිරීමේ උපකරණ සඳහා සුදුසු නඩත්තු සහ පරීක්ෂණ ප්‍රොටෝකෝල ක්රියාත්මක කළ යුතුය. ටංස්ටන් වයර්වල තත්ත්වය සහ ක්‍රියාකාරීත්වය නිතිපතා තක්සේරු කිරීම මඟින් විකෘති වීමේ යම් සලකුණු හඳුනා ගැනීමට සහ අවශ්‍ය පරිදි නිවැරදි ක්‍රියාමාර්ග ගැනීමට උපකාරී වේ.
