Alvos de pulverização catódicasão materiais usados ​​para depositar filmes finos em substratos durante o processo de deposição física de vapor (PVD). O material alvo é bombardeado com íons de alta energia, fazendo com que átomos sejam ejetados da superfície alvo. Esses átomos pulverizados são então depositados sobre um substrato, formando uma película fina. Os alvos de pulverização catódica são comumente usados ​​na produção de semicondutores, células solares e outros dispositivos eletrônicos. Geralmente são feitos de metais, ligas ou compostos selecionados com base nas propriedades desejadas do filme depositado.

O processo de pulverização catódica é afetado por vários parâmetros, incluindo:

1. Potência de pulverização catódica: A quantidade de energia aplicada durante o processo de pulverização catódica afetará a energia dos íons pulverizados, afetando assim a taxa de pulverização catódica.

2. Pressão do gás de pulverização catódica: A pressão do gás de pulverização catódica na câmara afeta a transferência de momento dos íons pulverizados, afetando assim a taxa de pulverização catódica e o desempenho do filme.

3. Propriedades do alvo: As propriedades físicas e químicas do alvo de pulverização catódica, como sua composição, dureza, ponto de fusão, etc., podem afetar o processo de pulverização catódica e o desempenho do filme depositado.

4. A distância entre o alvo e o substrato: A distância entre o alvo de pulverização catódica e o substrato afetará a trajetória e a energia dos átomos pulverizados, afetando assim a taxa de deposição e a uniformidade do filme.

5. Densidade de potência: A densidade de potência aplicada à superfície alvo afeta a taxa de pulverização catódica e a eficiência do processo de pulverização catódica.

Ao controlar e otimizar cuidadosamente esses parâmetros, o processo de pulverização catódica pode ser adaptado para atingir as propriedades desejadas do filme e as taxas de deposição.