| Molibdênio | Tungstênio | Tatanlum | Nióbio | Cromo |
Dureza (20 ℃) | Alívio de tensão recozido:> 220(HV10) recristalizado>160 – 180[HV10] | alívio de tensão recozido:> 460 (HV30) recristalizado> 360 (HV30) | deformado: 120 – 220 [HV10] recristalizado:80 – 125[HV10] | deformado: 110 - 180 [HV10] recristalizado: 60 - 110 [HV10] | 180 – 250 [HV10] |
Módulo de elasticidade (20 ℃) | 320 [GPa] | 405 [GPa] | 186 [GPa] | 104 [GPa] | 294 [GPa] |
Coeficiente de expansão térmica linear(20℃) | 5,2 · 10-6 [m/(m·K)] | 4,4 · 10-6 [m/(m·K)] | 6,4 · 10-6 [m/(m·K)] | 7,1 · 10-6 [m/(m·K)] | 6,2 · 10-6 [m/(m·K)] |
Condutividade térmica (20 ℃) | 142 [W/(m·K)] | 164 [C/(m·K)] | 57,5 [C/(m·K)] | 53,7 [C/(m·K)] | 93,7 [C/(m·K)] |
Calor específico (20 ℃) | 0,25 [J/(g·K)] | 0,13 [J/(g·K)] | 0,14 [J/(g·K)] | 0,27 [J/(g·K)] | 0,45 [J/(g·K)] |
Condutividade elétrica (20 ℃) | 17,9 · 106 [1/(Ω·m)] | 18,2 · 106 [1/(Ω·m)] | 8 · 106[1/(Ω·m)] | 7,1 · 106[1/(Ω·m)] | 7,9 · 106 [1/(Ω·m)] |
Resistência elétrica específica (20 ℃) | 0,056 [(Ω·mm2)/m] | 0,055 [(Ω·mm2)/m] | 0,125 [(Ω·mm2)/] | 0,141 [(Ω·mm2)/m] | 0,127 [(Ω·mm2)/m] |
Função de trabalho do elétron | 4,39 [eV] | 4,54 [eV] | 4,3 [eV] | 4,3 [eV] | 4,5 [eV] |
Recristalização temperatura | 1100°C | 1350°C | 900-1450°C | 850 – 1.300°C |
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Horário da postagem: 29 de setembro de 2019