Molybdenum trioxide (MoO3) د یو مهم دوه اړخیز (2-D) موادو په توګه ظرفیت لري، مګر د دې لوی تولید په خپل ټولګي کې د نورو څخه وروسته پاتې دی. اوس، په A*STAR کې څیړونکو په ډله ایز ډول د الټراټین، لوړ کیفیت MoO3 نانو شیټونو تولید لپاره یو ساده میتود رامینځته کړی.

د ګرافین له کشف وروسته، نور 2-D مواد لکه انتقالي فلزي ډای چلکوجینایډز، د پام وړ پام ځانته راجلب کړ. په ځانګړې توګه، MoO3 د پام وړ بریښنایی او نظری ملکیتونو له امله د یو مهم 2-D سیمی کنډکټینګ موادو په توګه راڅرګند شو چې په بریښنایی ، آپټو الیکترونیک او الیکټروکرومکس کې د یو لړ نوي غوښتنلیکونو ژمنې لري.

لیو هونګفي او د A*STAR د موادو د څیړنې او انجینرۍ انسټیټیوټ او د لوړ فعالیت کمپیوټري انسټیټیوټ څخه همکارانو هڅه کړې چې د MoO3 لوی ، لوړ کیفیت لرونکي نانو شیټونو تولید لپاره ساده تخنیک رامینځته کړي چې انعطاف وړ او شفاف وي.

"د مولیبډینم ټرای اکسایډ اټومي پلوه پتلی نانو شیټونه نوي ملکیتونه لري چې په ډیری بریښنایی غوښتنلیکونو کې کارول کیدی شي ،" لیو وايي. "مګر د ښه کیفیت نانو شیټونو تولید لپاره، اصلي کرسټال باید خورا لوړ پاک وي."

د لومړي ځل لپاره د تودوخې بخار ټرانسپورټ په نوم د تخنیک په کارولو سره، څیړونکو د MoO3 پاؤډ په ټیوب فرنس کې په 1,000 درجې سیلسیس کې تبخیر کړ. بیا، د نیوکلیشن سایټونو شمیر کمولو سره، دوی کولی شي د MoO3 ترموډینامیک کرسټال کولو سره په ښه توګه مطابقت وکړي ترڅو د ځانګړي سبسټریټ اړتیا پرته په 600 درجې سیلسیس کې د لوړ کیفیت کرسټال تولید کړي.

"په عموم کې، په لوړه تودوخه کې د کرسټال وده د سبسټریټ لخوا اغیزمن کیږي،" لیو تشریح کوي. "په هرصورت، د قصدي سبسټریټ په نشتوالي کې موږ کولی شو د کرسټال وده په ښه توګه کنټرول کړو، موږ ته اجازه راکوي چې د لوړ پاکوالي او کیفیت لرونکي مولیبډینم ټرای اکسایډ کرسټال وده وکړو."

د خونې تودوخې ته د کرسټالونو له یخولو وروسته، څیړونکو د MoO3 کرسټالونو د فرعي مایکرون - موټ بیلټ تولیدولو لپاره میخانیکي او آبی اکسفولیشن کارولی. یوځل چې دوی بیلټونه د سونیکیشن او سینټرفیوګریشن تابع کړل ، دوی وکولی شول لوی ، لوړ کیفیت MoO3 نانو شیټونه تولید کړي.

کار د 2-D MoO3 نانو شیټونو انټر لیر بریښنایی تعاملاتو ته نوي لیدونه وړاندې کړي. د ټیم لخوا رامینځته شوي د کرسټال وده او اکسفولیشن تخنیکونه هم کولی شي د 2-D هیټروجنکشنونو په جوړولو سره د 2-D موادو د بډ خلا - او له همدې امله د آپټو الیکترونیک ملکیتونو په مینځلو کې ګټور وي.

"موږ اوس هڅه کوو چې د 2-D MoO3 نانو شیټونه د لویو ساحو سره جوړ کړو، په بیله بیا په نورو وسیلو لکه د ګاز سینسرونو کې د دوی احتمالي کارونې سپړنه کوو." لیو وايي.