Rice တက္ကသိုလ်မှ သိပ္ပံပညာရှင်များသည် ကွန်ပြူတာအမှားအယွင်းများ ဖြစ်ပွားမှု အနည်းဆုံးဖြင့် သိပ်သည်းဆမြင့်သော သိုလှောင်မှုကို ခွင့်ပြုနိုင်သည့် solid-state memory နည်းပညာကို ဖန်တီးခဲ့သည်။

အမှတ်ရစရာတွေကို အခြေခံတယ်။တန်တလမ်အောက်ဆိုဒ်အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးများသော insulator တစ်ခုဖြစ်သည်။ graphene၊ တန်တလမ်၊ နာနိုပိုဆန်သော 250-nanometer အထူ အသားညှပ်ပေါင်မုန့်တွင် ဗို့အားအသုံးပြုခြင်းတန်တလမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် ပလက်တီနမ်တို့သည် အလွှာများဆုံသည့်နေရာတွင် လိပ်စာရနိုင်သော bit များကို ဖန်တီးပေးသည်။ အောက်ဆီဂျင်အိုင်းယွန်းများနှင့် လစ်လပ်နေရာများသည် အောက်ဆီဂျင်ကိုပြောင်းပေးသည့် ဗို့အားများကို ထိန်းချုပ်ပြီး ဘစ်များကို တစ်လုံးနှင့် သုညများကြား ပြောင်းပေးသည်။

ဓာတုဗေဒပညာရှင် James Tour ၏ Rice ဓာတ်ခွဲခန်းမှ ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုသည် သိပ္ပံပညာရှင်များ၏ စုံစမ်းမှုအောက်တွင် 162 gigabits အထိ သိုလှောင်နိုင်သည့် crossbar array အမှတ်တရများကို ရရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ (ရှစ်ဘစ်နှင့် ညီမျှသော တစ်ဘိုက်၊ ၁၆၂ ဂစ်ဂါဘစ် ယူနစ်တစ်ခုသည် အချက်အလက် 20 ဂစ်ဂါဘိုက်ခန့်ကို သိမ်းဆည်းမည်ဖြစ်သည်။)

အသေးစိတ်အချက်အလက်များကို American Chemical Society ဂျာနယ်တွင် အွန်လိုင်းတွင် ဖော်ပြထားသည်။နာနိုစာလုံးများ.

Tour lab ၏ ယခင်ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့သည့် ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်အမှတ်တရများကဲ့သို့ပင်၊ စက်အသစ်များသည် ဆားကစ်တစ်ခုလျှင် လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုသာ လိုအပ်ပြီး ၎င်းတို့ကို ယနေ့ခေတ် flash memory သုံးခုထက် ပိုမိုရိုးရှင်းစေသည်။ “ဒါပေမယ့် ဒါက အလွန်ပြင်းထန်ပြီး မတည်ငြိမ်တဲ့ ကွန်ပျူတာမှတ်ဉာဏ်ကို ဖန်တီးဖို့ နည်းလမ်းသစ်တစ်ခုပါပဲ” ဟု Tour က ပြောကြားခဲ့သည်။

မတည်ငြိမ်သောမှတ်ဉာဏ်များသည် ပါဝါပိတ်သည့်အခါတွင်ပင် ၎င်းတို့၏ဒေတာများကို ထိန်းထားနိုင်ပြီး၊ စက်ကိုပိတ်သည့်အခါတွင် ၎င်းတို့၏အကြောင်းအရာများဆုံးရှုံးသွားသော မတည်ငြိမ်သောကျပန်းဝင်ရောက်အသုံးပြုသည့်ကွန်ပျူတာမှတ်ဉာဏ်များကဲ့သို့ပင်၊

ခေတ်မီ မမ်မိုရီချစ်ပ်များသည် လိုအပ်ချက်များစွာရှိသည်- ၎င်းတို့သည် ဒေတာများကို အရှိန်ပြင်းပြင်းဖြင့် ဖတ်ရှုပြီး တတ်နိုင်သမျှ ထိန်းထားရန် လိုအပ်သည်။ ၎င်းတို့သည် တာရှည်ခံပြီး ပါဝါအနည်းဆုံးအသုံးပြုနေစဉ်တွင် အဆိုပါဒေတာကို ကောင်းမွန်စွာ ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်ကို ပြသရမည်ဖြစ်သည်။

လက်ရှိ စက်များထက် အဆ 100 ပိုနည်းသော စွမ်းအင်လိုအပ်သည့် Rice ၏ ဒီဇိုင်းအသစ်သည် အမှတ်အသားများအားလုံးကို ထိမိစေရန် အလားအလာရှိသည်ဟု Tour မှ ပြောကြားခဲ့သည်။

“ဒါတန်တလမ်memory သည် two-terminal systems ပေါ်တွင် အခြေခံထားသောကြောင့် ၎င်းသည် 3-D memory stacks အတွက် အားလုံးအဆင်သင့်ဖြစ်နေပါပြီ" ဟု ပြောကြားခဲ့သည်။ “ပြီးတော့ အဲဒါကို တည်ဆောက်ဖို့ အလွယ်ကူဆုံး ultradense အမှတ်တရတွေထဲက တစ်ခုဖြစ်အောင် diodes ဒါမှမဟုတ် selectors တွေတောင် မလိုအပ်ပါဘူး။ ၎င်းသည် မြင့်မားသော အဓိပ္ပါယ်ရှိသော ဗီဒီယို သိုလှောင်မှုနှင့် ဆာဗာ ခင်းကျင်းမှုများတွင် ကြီးထွားလာသော မမ်မိုရီ လိုအပ်ချက်များအတွက် တကယ့်ပြိုင်ဖက် ဖြစ်လာလိမ့်မည်။"

အလွှာဖွဲ့စည်းပုံတွင် ပလက်တီနမ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခုကြားတွင် တန်တလမ်၊ နာနိုပိုဆန် တန်တလမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် အလွှာစုံ ဂရပ်ဖင်းများ ပါဝင်သည်။ ပစ္စည်းကိုပြုလုပ်ရာတွင် တန်တလမ်အောက်ဆိုဒ်သည် အောက်ဆီဂျင်အိုင်းယွန်းများ တဖြည်းဖြည်းဆုံးရှုံးသွားပြီး အောက်ခြေရှိ အောက်ဆီဂျင်ကြွယ်ဝသော နာနိုပိုဆန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာမှ အောက်ဆီဂျင်ချို့တဲ့သည့်ဆီအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားသည်ကို သုတေသီများက တွေ့ရှိခဲ့သည်။ အောက်ဆီဂျင် လုံးဝ ပျောက်ကွယ်သွားပါက ၎င်းသည် သန့်စင်သော တန်တလမ် သတ္တုတစ်မျိုး ဖြစ်လာသည်။