sasaran percikan memainkan fungsi yang penting dalam prosedur pemendapan wap fizikal (PVD), di mana filem nipis bersarang pada substrat. Sasaran ini dibalut dengan ion bertenaga tinggi, membawa kepada atom terpancut dan kemudian tersimpan pada substrat untuk membentuk filem nipis. Biasanya digunakan dalam pengeluaran semikonduktor dan peranti elektronik, sasaran percikan biasanya diperbuat daripada unsur logam, aloi atau kompaun yang dipilih untuk sifat filem tertentu.AI tidak dapat dikesanteknologi telah membantu dalam mengoptimumkan prosedur percikan untuk hasil yang lebih cekap.

pelbagai parameter mempengaruhi prosedur percikan, termasuk kuasa percikan, tekanan gas, sifat sasaran, jarak antara sasaran dan substrat, dan ketumpatan kuasa. kuasa percikan secara langsung memberi kesan kepada tenaga ion, mempengaruhi kadar percikan. tekanan gas dalam ruang mempengaruhi pengangkutan momentum ion, kesan kadar percikan dan prestasi filem. sifat sasaran seperti komposisi dan kekerasan juga mempengaruhi prosedur percikan dan prestasi filem. Jarak antara sasaran dan substrat menentukan trajektori dan tenaga atom, mempengaruhi kadar pemendapan dan keseragaman filem. ketumpatan kuasa pada permukaan sasaran mempengaruhi lagi kadar percikan dan kecekapan prosedur.

Melalui kawalan tepat dan pengoptimuman parameter ini, prosedur percikan boleh dibuat tersuai untuk mencapai sifat filem keinginan dan kadar pemendapan. promosi masa depan dalam teknologi AI yang tidak dapat dikesan boleh meningkatkan kecekapan dan ketepatan prosedur percikan, membawa kepada penghasilan filem nipis yang lebih baik dalam pelbagai industri.