Bahan sasaran molibdenum digunakan secara meluas dalam bidang semikonduktor
1. Ketulenan serbuk molibdenum lebih besar daripada atau sama dengan 99.95%. Rawatan ketumpatan serbuk molibdenum telah dijalankan menggunakan proses pensinteran menekan panas, dan serbuk molibdenum diletakkan di dalam acuan; Selepas meletakkan acuan ke dalam relau pensinteran menekan panas, vakum relau pensinteran menekan panas; Laraskan suhu relau pensinteran akhbar panas kepada 1200-1500 ℃, dengan tekanan lebih besar daripada 20MPa, dan mengekalkan penebat dan tekanan selama 2-5 jam; Membentuk bilet sasaran molibdenum pertama;
2. Lakukan rawatan guling panas pada bilet sasaran molibdenum pertama, panaskan bilet sasaran molibdenum pertama kepada 1200-1500 ℃, dan kemudian lakukan rawatan guling untuk membentuk bilet sasaran molibdenum kedua;
3. Selepas rawatan rolling panas, bahan sasaran molibdenum kedua disepuh dengan melaraskan suhu kepada 800-1200 ℃ dan menahannya selama 2-5 jam untuk membentuk molibbahan sasaran denum.
Sasaran molibdenum boleh membentuk filem nipis pada pelbagai substrat dan digunakan secara meluas dalam komponen dan produk elektronik.
Prestasi Bahan Sasaran Molibdenum Sputtered
Prestasi bahan sasaran sputtering molibdenum adalah sama seperti bahan sumbernya (aloi molibdenum tulen atau molibdenum). Molibdenum adalah unsur logam yang digunakan terutamanya untuk keluli. Selepas molibdenum oksida industri ditekan, kebanyakannya digunakan secara langsung untuk pembuatan keluli atau besi tuang. Sebilangan kecil molibdenum dileburkan ke dalam besi molibdenum atau kerajang molibdenum dan kemudian digunakan untuk pembuatan keluli. Ia boleh meningkatkan kekuatan, kekerasan, kebolehkimpalan, keliatan, serta suhu tinggi dan rintangan kakisan aloi.
Penggunaan Bahan Sasaran Sputtering Molibdenum dalam Paparan Panel Rata
Dalam industri elektronik, penggunaan sasaran sputtering molibdenum terutamanya tertumpu pada paparan panel rata, elektrod sel suria filem nipis dan bahan pendawaian, serta bahan lapisan penghalang semikonduktor. Bahan-bahan ini adalah berdasarkan takat lebur yang tinggi, kekonduksian tinggi, dan molibdenum impedans spesifik rendah, yang mempunyai rintangan kakisan yang baik dan prestasi alam sekitar. Molibdenum mempunyai kelebihan hanya separuh impedans khusus dan tegasan filem kromium, dan tidak mempunyai isu pencemaran alam sekitar, menjadikannya salah satu bahan pilihan untuk sasaran sputtering dalam paparan panel rata. Di samping itu, menambah unsur molibdenum pada komponen LCD boleh meningkatkan kecerahan, kontras, warna dan jangka hayat LCD dengan sangat baik.
Penggunaan Bahan Sasaran Sputtering Molibdenum dalam Sel Fotovolta Suria Filem Nipis
CIGS ialah sejenis sel solar penting yang digunakan untuk menukar cahaya matahari kepada elektrik. CIGS terdiri daripada empat unsur: kuprum (Cu), indium (In), galium (Ga), dan selenium (Se). Nama penuhnya ialah sel suria filem nipis indium gallium selenium tembaga. CIGS mempunyai kelebihan kapasiti penyerapan cahaya yang kuat, kestabilan penjanaan kuasa yang baik, kecekapan penukaran yang tinggi, masa penjanaan kuasa siang hari yang panjang, kapasiti penjanaan kuasa yang besar, kos pengeluaran yang rendah dan tempoh pemulihan tenaga yang singkat
Sasaran molibdenum terutamanya disembur untuk membentuk lapisan elektrod bateri filem nipis CIGS. Molibdenum terletak di bahagian bawah sel suria. Sebagai sentuhan belakang sel suria, ia memainkan peranan penting dalam nukleasi, pertumbuhan, dan morfologi kristal filem nipis CIGS.
Sasaran sputtering molibdenum untuk skrin sentuh
Sasaran Molibdenum niobium (MoNb) digunakan sebagai lapisan pengalir, penutup dan penyekat dalam televisyen definisi tinggi, tablet, telefon pintar dan peranti mudah alih lain melalui salutan sputtering.
Nama Produk | Bahan sasaran molibdenum |
bahan | Mo1 |
Spesifikasi | Disesuaikan |
Permukaan | Kulit hitam, alkali dicuci, digilap. |
Teknik | Proses pensinteran, pemesinan |
Titik lebur | 2600 ℃ |
Ketumpatan | 10.2g/cm3 |
Wechat:15138768150
WhatsApp: +86 15236256690
E-mail : jiajia@forgedmoly.com