Ko nga Kairangahau mai i te Whare Ahupūngao me te Hangarau o Moscou kua kaha ki te whakatipu i nga kiriata angiangi ngota o te molybdenum disulfide tae atu ki etahi tekau henimita tapawha. I whakaatuhia ka taea te whakarereke i te hanganga o te rauemi ma te rereke i te pāmahana whakahiato. Ko nga kiriata, he mea nui ki te hikohiko me te optoelectronics, i riro mai i te 900-1,000 ° Celsius. I whakaputaina nga kitenga i roto i te retaata ACS Applied Nano Materials.

Ko nga rauemi ahu-rua e aro nui ana na o raatau ahuatanga ahurei i ahu mai i o raatau hanganga me nga here miihini rahi. Ko te whanau o nga rauemi 2-D kei roto ko nga konganuku, nga miihini, nga waahanga hiko, me nga kaitarai. Ko te Graphene, koinei pea te papanga 2-D tino rongonui, he taarua o nga ngota waro. Kei a ia te nekeneke kawe utu teitei kua rekotia ki tenei ra. Heoi, karekau he aputa roopu a te graphene i raro i nga tikanga paerewa, ka whakawhāitihia ana tono.

Kaore i te rite ki te graphene, ko te whanui tino pai o te roopu roopu i roto i te molybdenum disulfide (MoS2) e tika ana mo te whakamahi i nga taputapu hiko. Kei ia paparanga MoS2 he anga hanawiti, me te paparanga molybdenum i ruia ki waenga i nga papa e rua o nga ngota whanariki. Ko nga hanganga rereke van der Waals e rua, e whakakotahi ana i nga momo rauemi 2-D, e whakaatu ana i te oati pai. Inaa, kua whakamahia nuitia i roto i nga tono e pa ana ki te kaha me te catalysis. Ko te whakahiato o te 2-D molybdenum disulfide te wafer-scale (roohanga-nui) e whakaatu ana i te kaha mo te ahunga whakamua i roto i te hanganga o nga taputapu hiko maramara me te ngawari, te whakawhitiwhiti korero mo nga rorohiko o muri mai, me etahi atu mara o te hikohiko me te optoelectronics.

"Ko te tikanga i puta mai i a maatau ki te whakahiato MoS2 e rua nga waahanga. Tuatahi, ka whakatipuhia he kiriata o MoO3 ma te whakamahi i te tikanga tukunga paparanga ngota, e whakaatu ana i te matotoru o te paparanga ngota ka taea te whakakikoruatanga o nga mata katoa. A ka ngawari te tiki MoO3 i runga i nga angiangi tae atu ki te 300 mirimita te whanui. Whai muri, ka whakamahana te kiriata ki te kohu whanariki. Ko te mutunga mai, ka whakakapihia nga ngota hāora i roto i te MoO3 ki te ngota whanariki, ka hangaia te MoS2. Kua ako kee matou ki te whakatipu i nga kiriata MoS2 angiangi ngota ki runga i te waahi ki te maha tekau henemita tapawha,” ta Andrey Markeev, te tumuaki o MIPT's Atomic Layer Deposition Lab.

I whakatauhia e nga kairangahau ko te hanganga o te kiriata ka whakawhirinaki ki te pāmahana sulfurization. Ko nga kiriata whanariki i te 500°C kei roto i nga kakano tioata, he iti noa nga nanometera ia ia, kua mau ki roto i te matrix amorphous. I te 700°C, ko enei tioata he 10-20 nm te whanui, ko nga paparanga S-Mo-S e noho tika ana ki te mata. Ko te mutunga, he maha nga here tarewa o te mata. Ko taua hanganga e whakaatu ana i te kaha o te mahi catalytic i roto i nga tauhohenga maha, tae atu ki te tauhohenga whanaketanga hauwai. Mo te MoS2 hei whakamahi i roto i te hikohiko, me whakarara nga paparanga S-Mo-S ki te mata, ka tutuki i te pāmahana sulfurization o 900-1,000°C. Ko nga kiriata ka puta he angiangi penei i te 1.3 nm, e rua ranei nga paparanga ngota, me te waahi hokohoko (ara, te rahi).

Ko nga kiriata MoS2 i whakahiatohia i raro i nga tikanga tino pai i whakauruhia ki roto i nga hanganga tauira whakarewa-dielectric-semiconductor, he mea hanga i runga i te ferroelectric hafnium oxide me te whakatauira i te transistor hua-a-mara. Ko te kiriata MoS2 i roto i enei hanganga i mahi hei hongere semiconductor. I whakahaerehia tana kawe ma te huri i te ahunga polarization o te paparanga ferroelectric. I te wa e pa ana ki a MoS2, ko te mea La:(HfO2-ZrO2), i whakawhanakehia i mua i roto i te taiwhanga MIPT, i kitea he toenga polarization tata ki te 18 microcoulombs ia henimita tapawha. Na te kaha hurihuri o te 5 miriona huringa, kua eke ki runga te rekoata o te ao o mua mo nga huringa 100,000 mo nga waahana silicon.