Misy taratra ion rivotra mahery ao anaty akora matanjaka, ny taratra ion mankany amin'ny atôma na molekiola amin'ny fitaovana matanjaka, ity tranga ity dia antsoina hoe sputtering ion; ary rehefa tafaverina ilay akora mivaingana, na avy amin'ny akora mivaingana ho amin'ireo tranga ireo dia antsoina hoe fiparitahana; Misy trangan-javatra iray hafa dia ny hoe aorian'ny andry ion mankany amin'ny fitaovana matanjaka amin'ny fitaovana matanjaka ary mampihena tsikelikely ny fanoherana, ary amin'ny farany mijanona amin'ny fitaovana matanjaka, io tranga io dia antsoina hoe ion implantation.
Ion implantation teknika:
Dia karazana teknolojia fanovana ambonin'ny fitaovana izay nivoatra haingana sy be mpampiasa eto amin'izao tontolo izao tao anatin'ny 30 taona farany. Ny fitsipika fototra dia ny fampiasana ny herin'ny taratra ion zava-niseho amin'ny filaharan'ny fitaovana 100keV amin'ny taratra ion ary ny fitaovan'ny atôma na ny molekiola dia ho andiana fifandraisana ara-batana sy simika, ny fatiantoka ny angovo ion tsikelikely, ny fijanonana farany amin'ny ny fitaovana, ary mahatonga ny firafitra sy ny toetra mampiavaka ny fitaovana ambonin`ny, fiovana. Mba hanamafisana ny toetran'ny fitaovana, na hahazoana fananana vaovao. Ny teknolojia vaovao noho ny tombony tsy manam-paharoa, dia tao amin'ny doped semiconductor fitaovana, metaly, seramika, polymer, ambonin'ny fanovana no be mpampiasa, nahazo tombony ara-toekarena sy ara-tsosialy lehibe.
Ny implantation Ion ho teknolojia doping manan-danja amin'ny teknolojia elektronika micro dia manana anjara toerana lehibe amin'ny fanatsarana ny toetran'ny fitaovana. Ion implantation teknolojia dia tena avo mari-pana fampisehoana sy ny fanoherana ny simika harafesiny fanoherana ny fitaovana. Noho izany, ny ampahany lehibe amin'ny efitrano ionization dia vita amin'ny tungstène, molybdène na graphite. Gemei taona ny indostria fikarohana sy ny famokarana amin'ny alalan'ny ion implantation ny tungstène molybdène akora, ny famokarana dia manana traikefa maharitra sy manankarena.
Vokatra mafana ho an'ny Ion Implantation
