Avo Ion implantation tungstène filamenta
Ion implantation tungstène tariby dia singa manan-danja ampiasaina amin'ny ion implantation milina, indrindra amin'ny dingana famokarana semiconductor. Ity karazana tariby tungstène ity dia manana anjara toerana lehibe amin'ny fitaovana semiconductor, ary ny kalitaony sy ny fahombiazany dia misy fiantraikany mivantana amin'ny fahombiazan'ny tsipika IC. Ion implantation milina dia fitaovana manan-danja eo amin'ny famokarana dingana ny VLSI (Very Large Scale Integrated Circuit), ary ny anjara asan'ny tungstène tariby ho toy ny ion loharano tsy azo tsinontsinoavina.
| lafiny | Toy ny sarinao |
| Toerana niaviany | Luoyang, Henan |
| Anarana marika | FGD |
| Fampiharana | semiconductor |
| Surface | Hoditra mainty, fanasana alkali, famirapiratry ny fiara, voaporitra |
| fahadiovana | 99,95% |
| KEVITRA | W1 |
| hakitroky | 19.3g/cm3 |
| Fenitry ny famonoana | GB/T 4181-2017 |
| Taona mitsonika | 3400 ℃ |
| Votoatin'ny fahalotoana | 0,005% |
| singa fototra | W＞99.95% |
| Ny votoatin'ny loto≤ | |
| Pb | 0,0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0,0050 |
| P | 0,0005 |
| C | 0.01 |
| Cr | 0,0010 |
| Al | 0,0015 |
| Cu | 0,0015 |
| K | 0.0080 |
| N | 0.003 |
| Sn | 0,0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0,0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0.008 |
| Ti | 0,0010 |
| Mg | 0,0010 |
1. Ny orinasanay dia ao amin'ny tanànan'i Luoyang, Faritanin'i Henan. Luoyang dia faritra famokarana ho an'ny fitrandrahana tungstène sy molybdène, noho izany dia manana tombony tanteraka amin'ny kalitao sy ny vidiny;
2. Ny orinasanay dia manana mpiasa ara-teknika manana traikefa 15 taona mahery, ary manome vahaolana sy soso-kevitra ho an'ny filan'ny mpanjifa tsirairay izahay.
3. Ny vokatra rehetra dia mandalo fanaraha-maso hentitra tsara alohan'ny hanondranana azy.
4. Raha mahazo entana simba ianao dia afaka mifandray aminay mba hamerenana.
1.Fifidianana akora manta
(Misafidiana akora manta tungstène avo lenta mba hiantohana ny fahadiovana sy ny toetra mekanika amin'ny vokatra farany.
2. Fandrendrehana sy fanadiovana
(Ny akora vita amin'ny tungstène voafantina dia miempo ao anaty tontolo voafehy mba hanesorana ny loto sy hahazoana ny fahadiovana irina.)
3. tariby sary
(Ny fitaovana tungstène voadio dia esorina na voasintona amin'ny alalan'ny andian-dite mba hahatratrarana ny savaivony tariby ilaina sy ny toetra mekanika.)
4. Famonoana
(Ny tariby tungstène voatsoaka dia nalaina mba hanafoanana ny adin-tsaina anatiny sy hanatsarana ny ductility sy ny fampandehanana ny fanodinana)
5. Fizotry ny fametrahana Ion
Amin'ity tranga manokana ity, ny filamenta tungstène dia mety handalo ny fizotry ny implantation ion, izay ampidirina amin'ny tampon'ny filamenta tungstène ny ion mba hanovana ny fananany hanatsarana ny fahombiazan'ny implanter ion.)
Ao amin'ny fizotran'ny famokarana chip semiconductor, ny milina implantation ion dia iray amin'ireo fitaovana fototra ampiasaina amin'ny famindrana ny sarin'ny chip circuit avy amin'ny saron-tava mankany amin'ny wafer silisiôma ary hahatratra ny tanjona kendrena. Ity dingana ity dia ahitana dingana toy ny fanadiovana mekanika simika, fametrahana sarimihetsika manify, photolithography, etching, ary implantation ion, anisan'izany ny implantation ion dia iray amin'ireo fitaovana manan-danja hanatsarana ny fahombiazan'ny wafers silisiôma. Ny fampiharana ny milina implantation ion dia mifehy tsara ny fotoana sy ny vidin'ny famokarana chip, ary manatsara ny fahombiazan'ny chips sy ny fahamendrehana. �
Eny, ny filaments tungstène dia mora voan'ny loto mandritra ny dingan'ny implantation. Mety hitranga ny fandotoana noho ny antony isan-karazany, toy ny entona tavela, poti-javatra, na loto misy ao amin'ny efitrano implantation ion. Ireo loto ireo dia afaka mifikitra amin'ny tampon'ny filamenta tungstène, misy fiantraikany amin'ny fahadiovany ary mety hisy fiantraikany amin'ny fanatanterahana ny fizotry ny fametrahana ion. Noho izany, ny fikojakojana ny tontolo iainana madio sy voafehy ao anatin'ny efitrano implantation ion dia zava-dehibe mba hampihenana ny mety hisian'ny fandotoana sy hiantohana ny fahamendrehan'ny filamenta tungstène. Ny fomba fanadiovana sy fikojakojana tsy tapaka dia afaka manampy amin'ny fanalefahana ny mety ho fandotoana mandritra ny fametrahana ion.
Ny tariby tungstène dia fantatra amin'ny teboka avo lenta sy ny toetra mekanika tena tsara, izay mahatohitra ny deformation eo ambanin'ny fepetra implantation ion mahazatra. Na izany aza, ny hafanana ateraky ny baomba ion mahery vaika sy ny fametrahana ion dia mety hiteraka fikorontanana rehefa mandeha ny fotoana, indrindra raha tsy voafehy tsara ny masontsivana dingana.
Ny lafin-javatra toy ny hamafin'ny sy ny faharetan'ny ion taratra sy ny mari-pana sy ny adin-tsaina haavon'ny tariby tungstène dia afaka mandray anjara amin'ny mety ho deformation. Fanampin'izany, ny loto na lesoka rehetra ao amin'ny tariby tungstène dia hampitombo ny mety hisian'ny deformation.
Mba hampihenana ny mety hisian'ny deformation, ny masontsivana dingana dia tsy maintsy araha-maso sy fehezina tsara, ny fahadiovana sy ny kalitaon'ny filamenta tungstène dia tsy maintsy ho azo antoka, ary ny fikojakojana sy ny fanaraha-maso protocols dia tsy maintsy ampiharina ho an'ny ion implantation fitaovana. Ny fanombanana tsy tapaka ny toe-javatra sy ny fahombiazan'ny tariby tungstène dia afaka manampy amin'ny famantarana ny fikorontanana ary mandray fepetra fanitsiana raha ilaina.
