Molibdeno taikiniai gali sudaryti plonas plėveles ant įvairių substratų ir yra plačiai naudojami elektroniniuose komponentuose ir gaminiuose.

Molibdeno purslų tikslinių medžiagų veikimas

Molibdeno purškimo tikslinės medžiagos veiksmingumas yra toks pat, kaip ir jos pradinės medžiagos (gryno molibdeno arba molibdeno lydinio). Molibdenas yra metalinis elementas, daugiausia naudojamas plienui gaminti. Po pramoninio molibdeno oksido presavimo didžioji jo dalis tiesiogiai naudojama plieno gamybai arba ketui. Nedidelis molibdeno kiekis išlydomas į molibdeno geležį arba molibdeno foliją ir naudojamas plieno gamybai. Jis gali pagerinti lydinių stiprumą, kietumą, suvirinamumą, kietumą, taip pat aukštą temperatūrą ir atsparumą korozijai.

Molibdeno purškimo tikslinių medžiagų taikymas plokščiame ekrane

Elektronikos pramonėje molibdeno purškimo taikiniai daugiausia skirti plokščiaekraniams ekranams, plonasluoksniams saulės elementų elektrodams ir laidų medžiagoms, taip pat puslaidininkių barjerinio sluoksnio medžiagoms. Šios medžiagos yra pagrįstos aukšta lydymosi temperatūra, dideliu laidumu ir mažos savitosios varžos molibdenu, pasižyminčiu geru atsparumu korozijai ir aplinkosauginėmis savybėmis. Molibdeno pranašumai yra tik pusė chromo specifinės varžos ir plėvelės įtempio, be to, jis neturi aplinkos taršos problemų, todėl jis yra viena iš pageidaujamų medžiagų, skirtų taikiniams išpurkšti plokščiuose ekranuose. Be to, pridėjus molibdeno elementų į LCD komponentus, galima žymiai pagerinti LCD ekrano ryškumą, kontrastą, spalvas ir tarnavimo laiką.

Molibdeno purškimo tikslinių medžiagų taikymas plonasluoksniuose saulės fotovoltiniuose elementuose

CIGS yra svarbus saulės elementų tipas, naudojamas saulės šviesai paversti elektra. CIGS sudaro keturi elementai: varis (Cu), indis (In), galis (Ga) ir selenas (Se). Visas jo pavadinimas yra vario indžio galio seleno plonasluoksnė saulės baterija. CIGS pranašumai yra stiprūs šviesos sugerties pajėgumai, geras energijos gamybos stabilumas, didelis konversijos efektyvumas, ilgas dienos energijos gamybos laikas, didelis energijos gamybos pajėgumas, mažos gamybos sąnaudos ir trumpas energijos atkūrimo laikotarpis.

Molibdeno taikiniai daugiausia purškiami, kad susidarytų CIGS plonasluoksnių baterijų elektrodų sluoksnis. Molibdenas yra saulės elemento apačioje. Kaip galinis saulės elementų kontaktas, jis vaidina svarbų vaidmenį formuojant CIGS plonasluoksnių kristalų branduolį, augimą ir morfologiją.

Molibdeno purškimo taikinys jutikliniam ekranui

Molibdeno niobio (MoNb) taikiniai naudojami kaip laidūs, dengiantys ir blokuojantys sluoksniai didelės raiškos televizoriuose, planšetiniuose kompiuteriuose, išmaniuosiuose telefonuose ir kituose mobiliuosiuose įrenginiuose naudojant purškiančią dangą.