Sputter Zilersi Materialien déi benotzt gi fir dënn Filmer op Substrate während dem kierperlechen Dampdepositioun (PVD) Prozess ze deposéieren. D'Zilmaterial gëtt mat héich-Energie-Ionen bombardéiert, wouduerch Atomer aus der Ziloberfläche ausgestouss ginn. Dës gesprayt Atomer ginn dann op e Substrat deposéiert, a bilden en dënnen Film. Sputtering Ziler ginn allgemeng an der Produktioun vun Hallefleit, Solarzellen an aner elektronesch Geräter benotzt. Si sinn normalerweis aus Metaller, Legierungen oder Verbindungen, déi ausgewielt ginn op Basis vun de gewënschten Eegeschafte vum deposéierte Film.

De Sputterprozess gëtt vu verschiddene Parameter beaflosst, dorënner:

1. Sputtering Kraaft: D'Quantitéit u Kraaft, déi während dem Sputterprozess applizéiert gëtt, beaflosst d'Energie vun de sputteréierten Ionen, an doduerch d'Sputterrate beaflosst.

2. Sputtergasdrock: Den Drock vum Sputtergas an der Chamber beaflosst den Dréimomenttransfer vu Sputteren Ionen, doduerch d'Sputterrate an d'Filmleistung beaflosst.

3. Target Properties: Déi physesch a chemesch Eegeschafte vum Sputtering Zil, wéi seng Zesummesetzung, Hardness, Schmelzpunkt, etc.

4. D'Distanz tëscht dem Zil an dem Substrat: D'Distanz tëscht dem Sputterziel an dem Substrat beaflosst d'Trajectoire an d'Energie vun de sputtered Atomer, doduerch d'Oflagerungsquote an d'Uniformitéit vum Film beaflossen.

5. Kraaftdicht: D'Kraaftdicht, déi op d'Zielfläch applizéiert gëtt, beaflosst d'Sputterrate an d'Effizienz vum Sputterprozess.

Duerch suergfälteg Kontroll an Optimisatioun vun dëse Parameteren, kann de Sputterprozess ugepasst ginn fir gewënschte Filmeigenschaften an Oflagerungsraten z'erreechen.