Et gëtt e schlëmmen Loft Ionenstrahl an e festen Material, den Ionenstrahl zu festen Material Atomer oder Molekülen an zolidd Material Uewerfläch, gëtt dëst Phänomen Ionenstrahl Sputtering genannt; a wann de festen Material, d'Uewerfläch vum festen Material zréckgesprongen ass, oder aus festem Material op dës Phänomener gëtt Streuung genannt; Et gëtt en anert Phänomen ass datt nom Ionenstrahl op de festen Material duerch zolidd Material a reduzéiert d'Resistenz lues erof, a schlussendlech an zolidd Material bleiwen, gëtt dëst Phänomen Ionimplantatioun genannt.
Ion Implantatioun Technik:
Ass eng Zort Material Uewerfläch Modifikatioun Technologie déi séier a wäit an der Welt an de leschten 30 Joer entwéckelt huet. De Grondprinzip ass d'Energie vun Ionenstrahl Tëschefall op der Uerdnung vun 100keV Material ze Ionenstrahl ze benotzen an d'Materialien vun den Atomer oder Molekülle wäerten eng Serie vu physikaleschen a chemeschen Interaktiounen sinn, den Tëschefall Ion Energieverloscht graduell, de leschte Stop an d'Material, an Ursaach der Struktur an Eegeschafte vun Material Uewerfläch Zesummesetzung, änneren. Fir d'Uewerflächeegenschafte vu Materialien ze optimiséieren oder e puer nei Eegeschaften ze kréien. Déi nei Technologie wéinst senger eenzegaarteger Virdeeler ass am dotéierten Halbleitermaterial, Metall, Keramik, Polymer, Uewerflächemodifikatioun vill benotzt, huet grouss wirtschaftlech a sozial Virdeeler erreecht.
Ionimplantatioun als eng wichteg Dopingtechnologie an der Mikroelektronescher Technologie spillt eng Schlësselroll bei der Optimisatioun vun der Uewerflächeegenschafte vun de Materialien. Ionimplantatiounstechnologie ass ganz héich Temperaturleistung a Resistenz géint chemesch Korrosiounsbeständegkeet vum Material. Dofir sinn d'Haaptdeeler vun der Ioniséierungskammer aus Wolfram, Molybdän oder Grafitmaterialien. Gemei Joer Industriefuerschung a Produktioun duerch Ionimplantatioun vu Wolfram Molybdänmaterial, de Produktiounsprozess huet stabil a räich Erfahrung.
Hot Produkter fir Ion Implantatioun
