Héich Rengheet Ion Implantatioun Wolfram Filament
Ionimplantatioun Wolfram Drot ass e Schlësselkomponent deen an Ionimplantatiounsmaschinne benotzt gëtt, haaptsächlech an Hallefleitfabrikatiounsprozesser. Dës Zort Wolfram Drot spillt eng wichteg Roll an semiconductor Equipement, a seng Qualitéit an Leeschtung Afloss direkt d'Effizienz vun IC Prozess Linnen. Ion Implantatiounsmaschinn ass e Schlësselausrüstung am Fabrikatiounsprozess vu VLSI (Very Large Scale Integrated Circuit), an d'Roll vum Wolfram Drot als Ionquell kann net ignoréiert ginn. an
| Dimensiounen | Wéi Är Zeechnungen |
| Plaz vun Urspronk | Luoyang, Henan |
| Mark Numm | FGD |
| Applikatioun | semiconductor |
| Uewerfläch | Schwaarz Haut, Alkaliwäsch, Autoglanz, poléiert |
| Rengheet | 99,95% |
| Material | W1 |
| Dicht | 19,3 g/cm3 |
| Ausféierung Standarden | GB / T 4181-2017 |
| Schmelzpunkt | 3400 ℃ |
| Gëftstoff Inhalt | 0,005% |
| Haaptkomponenten | W＞99.95% |
| Onreinheet Inhalt≤ | |
| Pb | 0,0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0,0050 |
| P | 0,0005 |
| C | 0,01 |
| Cr | 0,0010 |
| Al | 0,0015 |
| Cu | 0,0015 |
| K | 0,0080 |
| N | 0,003 |
| Sn | 0,0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0,0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0,008 |
| Ti | 0,0010 |
| Mg | 0,0010 |
1. Eis Fabréck ass an der Luoyang City, Henan Provënz. Luoyang ass e Produktiounsberäich fir Wolfram- a Molybdänminen, also hu mir absolut Virdeeler an Qualitéit a Präis;
2. Eis Firma huet technesch Personal mat iwwer 15 Joer Erfahrung, a mir bidden geziilte Léisungen a Virschléi fir all Client seng Bedierfnesser.
3. All eis Produkter ënnerleien strikt Qualitéitsinspektioun ier se exportéiert ginn.
4. Wann Dir defekt Wueren kritt, kënnt Dir eis kontaktéieren fir e Remboursement.
1.Raw Material Auswiel
(Wielt héichqualitativ Wolfram Rohmaterialien fir d'Rengheet an d'mechanesch Eegeschafte vum Endprodukt ze garantéieren. )
2. Schmelzen an Offäll
(Ausgewielt Wolfram Rohmaterialien ginn an engem kontrolléierten Ëmfeld geschmolt fir Gëftstoffer ze entfernen an déi gewënschte Rengheet z'erreechen.)
3. Drot Zeechnen
(Purifizéiert Wolframmaterial gëtt extrudéiert oder duerch eng Serie vu Stierwen gezunn fir den erfuerderlechen Drot Duerchmiesser a mechanesch Eegeschaften z'erreechen.)
4.Annealing
(Den gezunnen Wolfram Drot ass annealéiert fir intern Stress ze eliminéieren a seng Duktilitéit a Veraarbechtungsleistung ze verbesseren)
5. Ion Implantatioun Prozess
An dësem bestëmmte Fall kann de Wolfram Filament selwer en Ionimplantatiounsprozess erliewen, an deem Ionen an d'Uewerfläch vum Wolfram Filament injizéiert ginn fir seng Eegeschaften z'änneren fir d'Performance am Ionimplantator ze verbesseren.)
Am Halbleiter Chip Produktiounsprozess ass Ionimplantatiounsmaschinn ee vun de Schlësselausrüstung déi benotzt gëtt fir den Chip Circuit Diagramm vun der Mask op d'Silisiumwafer ze transferéieren an d'Zilchipfunktioun z'erreechen. Dëse Prozess enthält Schrëtt wéi chemesch mechanesch Polieren, Dënnfilmdepositioun, Photolithographie, Ätzen, an Ionimplantatioun, dorënner Ionimplantatioun ass ee vun de wichtege Mëttelen fir d'Performance vu Siliziumwafers ze verbesseren. D'Applikatioun vun Ionimplantatiounsmaschinne kontrolléiert effektiv d'Zäit an d'Käschte vun der Chipproduktioun, wärend d'Performance an d'Zouverlässegkeet vun de Chips verbessert. an
Jo, Wolfram Filamenter si ufälleg fir Kontaminatioun wärend dem Ionimplantatiounsprozess. Kontaminatioun kann opgrond vu verschiddene Faktoren optrieden, sou wéi Reschtgasen, Partikelen oder Gëftstoffer, déi an der Ionimplantatiounskammer präsent sinn. Dës Verschmotzunge kënnen op d'Uewerfläch vum Wolfram Filament hänken, hir Rengheet beaflossen a potenziell d'Performance vum Ionimplantatiounsprozess beaflossen. Dofir ass e proppert a kontrolléiert Ëmfeld an der Ionimplantatiounskammer kritesch fir de Risiko vu Kontaminatioun ze minimiséieren an d'Integritéit vum Wolfram Filament ze garantéieren. Regelméisseg Botzen an Ënnerhalt Prozeduren kënnen och hëllefen d'Potenzial fir Kontaminatioun während Ionimplantatioun ze reduzéieren.
Wolfram Drot ass bekannt fir säin héije Schmelzpunkt an exzellent mechanesch Eegeschaften, déi et resistent géint Verformung ënner normalen Ionimplantatiounsbedéngungen maachen. Wéi och ëmmer, d'Hëtzt, déi wärend der Héichenergie-Ionbombardement an der Ionimplantatioun generéiert gëtt, kann Verzerrung iwwer Zäit verursaachen, besonnesch wann d'Prozessparameter net suergfälteg kontrolléiert ginn.
Faktore wéi d'Intensitéit an d'Dauer vum Ionenstrahl an d'Temperatur a Stressniveauen, déi vum Wolfram Drot erliewt ginn, kënnen all zum Verformungspotenzial bäidroen. Zousätzlech wäert all Gëftstoffer oder Mängel am Wolfram Drot d'Sensibilitéit fir Verformung verschäerfen.
Fir de Risiko vun der Verformung ze reduzéieren, musse Prozessparameter suergfälteg iwwerwaacht a kontrolléiert ginn, d'Rengheet an d'Qualitéit vum Wolfram Filament muss geséchert ginn, an entspriechend Ënnerhalt- an Inspektiounsprotokoller musse fir d'Ionimplantatiounsausrüstung ëmgesat ginn. Regelméisseg d'Conditioun an d'Performance vum Wolfram Drot bewäerten kann hëllefen, all Unzeeche vun der Verzerrung z'identifizéieren an d'Korrekturaktioun ze huelen wéi néideg.
