Investigatores a Moscuae Instituto Physicae et Technologiae curaverunt ut membranas molybdaeni atomice crescere minuerent, distrahentes usque ad plures decem centimeters quadratos. Demonstratum est structuram materiae variando componi posse temperamentum. Membrana, quae electronicis et optoelectronicis referta sunt, Celsius 900-1,000° impetrata sunt. Inventa in ephemeride ACS Acta Nano Materiae edita sunt.

Materiae duae dimensiva multum attrahunt ob singulares proprietates suas ex structura oriundas et quantum ad restrictiones mechanicas. Familia materiarum 2-D includit metalla, semimetalia, semiconductores et insulatores. Graphene, quae fortasse materia 2-D celeberrima est, monolayer atomorum carbonis est. Mobilitas cursoris summam ad diem memoriae habet. Sed graphene non habet lacunam sub normarum conditionibus et limites applicationes suas.

Dissimilis graphena, optimalis latitudo bandgaporum in molybdeno detrectatione (MoS2) eam aptam ad usum in electronicis machinis facit. Quaelibet MoS2 iacuit structuram fartam habet, cum strato molybdeni expresso inter atomos sulphuris duos ordines. Duo dimensiva heterostructura van der Waals, quae diversas materias 2-D coniungunt, magnam pariter promissionem ostendunt. Reapse iam late adhibentur in applicationibus energiae et catalysi-actis. Wafer-scala (magna-area) synthesis 2-D molybdaeni disulfitionem ostendit potentiam ad progressuum perruptorum in creatione electronicarum pellucidarum ac flexibilium, communicationis optica pro computatoribus generationis proximae, necnon in aliis campis electronicorum et optoelectronicorum.

“Modo ascendimus cum MoS2 componendi duos gradus involvit. Primum, cinematographica MoO3 increvit utens technicae depositionis strato atomico, quae crassitudinem atomi subtilis stratis praebet et conformationem omnium superficierum conformationem praebet. Et MoO3 facile obtineri potest in lagana usque ad 300 mm diametro. Deinde movendum est calidum in sulphure vaporatum. Quam ob rem atomi oxygeni in MoO3 substituuntur ex atomis sulphuris et formatur MoS2. Iam moS2 membranas in area usque ad plures decem centimeters quadratos atomice crescere didicimus", explicat Andrey Markeev, caput MIPT's Iaculi atomicium Lab.

Investigatores decreverunt structuram cinematographicae e temperatura sulphurizationis pendere. Membrana sulphurata in 500°С grana crystallina continent, nonnulla nanometrorum singula, in matrice amorpho fixa. Ad 700°С, hi crystallites circa 10-20 um transversa sunt et stratae S-Mo-S ad superficiem perpendiculares ordinantur. Quam ob rem superficies vincula multa pendentia habet. Talis structura demonstrat altam actionem catalyticam in multis reactionibus, incluso evolutionis hydrogenii reactionis. Pro MoS2 in electronicis adhibendis, stratis S-Mo-S debent superficiei parallelae, quae fit in temperaturae sulphurisationi 900-1,000°С. Membrana resultantes tam graciles sunt quam 1.3 nm, vel duo strata hypothetica, et aream commercium significantes (id est, satis amplum) habent.

Pelliculae MoS2 sub optimalibus condicionibus summatim introductae sunt in structuras prototypum metalli-dielectric-semiconductoris, quae ex ferroelectric hafnium oxydatum innituntur et transeuntis agri effectum effingunt. Pellicula MoS2 in his structuris quasi canalis semiconductoris servivit. Eius conductivity moderatus est directionem ferrielectrici mutandi polarizationem. Cum in contactu cum MoS2, materia La:(HfO2-ZrO2) materia, quae antea in Lab MIPT evoluta erat, repertum est habere residua polarizationem proxime 18 microcoulomborum per centimeter quadrata. Cum mutandi patientia 5 milionum cyclorum, cumulum prioris mundi recordum 100,000 cyclorum pro canalibus Pii.