Alta pudicitia inditur Ion tungsten
Ion filum tungsten implantationis est clavis componentis in machinis implantationis adhibitis, maxime in processibus vestibulum semiconductoribus. Hoc genus filum tungsten magni ponderis in instrumento semiconductoris agit, et eius qualitas et effectus in linearum processuum efficientia directe afficiunt. Machina implantationis Ion est instrumentum key in processu fabricando VLSI (Plurimi Scale Circuitus Integrati), et munus filum tungsten sicut ion fons ignorari non potest.
| Dimensiones | Ut drawings |
| Locus Origin | Luoyang, Henan |
| Nomen notam | FGD |
| Applicationem | semiconductor |
| Superficies | Pellis nigra, alcali lava, currus luceat, politur |
| Puritas | 99.95% |
| Materia | W1 |
| Density | 19.3g/cm3 |
| Supplicium signa | GB/T 4181-2017 |
| punctum liquescens | 3400℃ |
| immunditia content | 0.005% |
| Principalis components | W＞99.95% |
| immunditia content≤ | |
| Pb | 0.0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0.0050 |
| P | 0.0005 |
| C | 0.01 |
| Cr | 0.0010 |
| Al | 0.0015 |
| Cu | 0.0015 |
| K | 0.0080 |
| N | 0.003 |
| Sn | 0.0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0.0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0.008 |
| Ti | 0.0010 |
| Mg | 0.0010 |
1. Officina nostra in urbe Luoyang, provincia Henan sita est. Luoyang area productio est in fodinis tungsten et molybdaeno, itaque qualitate et pretio absolutas utilitates habemus;
2. Societas nostra personas technicas plusquam XV annos experientiae habet, et solutiones iaculis et suggestiones pro cuiusque emptoris necessitatibus praebemus.
3. Omnes fructus nostri inspectionem strictam patiuntur antequam exportentur.
4. Si bona defectiva accipis, nos ad refugium contingere potes.
1.Raw materia lectio
(Select summus qualitas materiae rudis tungsten ut puritatem et proprietates mechanicas ultimi operis curet. )
2. Liquefactio et Purificatio
(Selectae materiae rudis in ambitu moderato tabantur ad immunditiam removendam et ad optatam puritatem consequendam).
3. filum drawing
(Matteria purgata tung- matica extruditur vel trahitur per seriem moritur ad obtinendum diametri filum quaesitum et proprietates mechanicas).
4.Annealing
(Filum tungsten strictum annectitur ad accentus internam eliminandam et ad meliorandum ductilem et perficiendam processus )
Ion 5. Processus Implantationis
In hoc particulari casu, ipsa filamentum tung- maticum implantationis processus subire potest, quo iones in superficiei filamentorum injectae sunt, ut proprietates suas mutarent ad augendam in Ion implantatorum observantiam.
In semiconductore chip productionis processus, machina implantatio ion est una e instrumentis praecipuis adhibitis ut chip in diagram a larva ad laganum Pii ad laganum scopo transferendum et munus scopae assequendum. Hic processus includit gradus ut chemicae mechanicae expolitio, tenuis pellicula depositio, photolithographia, engraving, et implantatio ion, in quibus ion implantatio est unum e maximis mediis ad operandum laganum pii. Applicatio machinarum implantationis ion efficaciter moderatur tempus et sumptus productionis chippis, dum meliori modo effectus et fiduciae assularum.
Filamenta tungsten suscipiunt contagione per processum implantationis ion. Contaminatio ob varias causas accidere potest, sicut gasorum residualium, particularum, aut immunditiarum in thalamo implantationis insunt. Hae contaminantes superficiei filamentorum turgi inhaerere possunt, eius puritatem et potentia afficientes processum implantationis perficiendum. Ideo cubiculi insertionis purum et moderatum ambitum intra ion thalamum conservandum est criticum ad extenuandum periculum contaminationis et ad integritatem filamentorum tungsten praestandam. Regularis purgatio et conservatio procedendi adiuvari possunt etiam potentiam ad contaminationem in implantatione ion mitigandam.
Filum Tungsten notum est pro suo puncto summo liquefacto et excellentibus proprietatibus mechanicis, quae deformationi resistunt sub conditionibus implantationis normalibus ion. Sed calor generatus in summo impetu ion bombardarum et implantationis ion corruptelam causare potest per tempus, praesertim si processum parametri non diligenter regitur.
Factores, ut intensio et diuturnitas trabis ionae et gradus temperatus et vis, quae per filum tungarorum experti sunt, omnes ad potentiam deformandi conferre possunt. Accedit, quaevis immunditia vel defectus in filum tungsten exacerbabit susceptibilitatem deformationis.
Ad periculum deformationis reducendum, processus parametri diligenter monitores et moderati debent, puritas et qualitas filamentorum tun- culorum conservari debent, et apta conservatio et protocolla inspectionis adhibenda sunt pro instrumento implantationis. Regulariter perpendendis condicioni et executionis filum tungstantium adiuvare possunt quaelibet signa corruptelae cognoscere et actionem emendam pro necessitate accipere.
