Di nav maddeyek zexm de tîrêjek îyonê ya hewayê ya cidî heye, tîra îyonê berbi atomên maddeya hişk an molekulan di nav rûbera maddeya hişk de ye, ji vê diyardeyê re tîrêjê îyonê tê gotin; û dema ku maddeya hişk, rûbera maddeya zexm bi paş ve vedigere, an ji madeya hişk vedigere van diyardeyan jê re tê gotin belavbûn; diyardeyeke din jî ev e ku piştî tîrêjê îyonê ji hêla materyalê hişk ve berbi maddeya hişk ve diçe û berxwedanê hêdî hêdî kêm dike, û di dawiyê de di nav materyalên hişk de dimîne, ji vê diyardeyê re îlonkirina ion tê gotin.
Teknîka împlantasyona îyonê:
Cûreyek teknolojiya guheztina rûyê materyalê ye ku di van 30 salên dawî de li cîhanê bi lez û bez pêşketiye. Prensîba bingehîn ev e ku meriv enerjiya tîrêjê ya ionê bi rêza 100keV bikar bîne ji tîrêjê îyonê re û materyalên atom an molekulan dê rêzek danûstendinên laşî û kîmyewî bin, windabûna enerjiya îyonê hêdî hêdî, rawestgeha dawîn a madde, û dibe sedem ku avahî û taybetmendiyên pêkhateya rûxara madeyê, biguhere. Ji bo ku taybetmendiyên rûyê materyalan xweşbîn bikin, an jî hin taybetmendiyên nû bistînin. Teknolojiya nû ji ber avantajên xwe yên bêhempa, di materyalê nîvconduktorê dopîngkirî de, metal, seramîk, polîmer, guheztina rûberê bi berfirehî tê bikar anîn, feydeyên aborî û civakî yên mezin bi dest xistiye.
Di teknolojiya elektronîkî ya mîkro de îlonek wekî teknolojiyek girîng a dopingê di xweşbînkirina taybetmendiyên rûkalê materyalan de rolek sereke dilîze. Teknolojiya implantasyona Ion performansa germahiya pir bilind û berxwedana li hember berxwedana korozyona kîmyewî ya materyalê ye. Ji ber vê yekê, beşên sereke yên odeya ionîzasyonê ji materyalên tungsten, molîbdenum an grafît têne çêkirin. Gemei salên lêkolîn û hilberîna pîşesaziyê ji hêla îlonê veguheztina materyalê molîbdenuma tungsten, pêvajoya hilberînê xwedan ezmûnek domdar û dewlemend e.
Hilberên Germ ên ji bo Implantasyona Ionê
