Filamenta tungstenê ya implantasyona Ionê ya paqijiya bilind
Têla tungstenê ya implantasyona yonê hêmanek bingehîn e ku di makîneyên implantasyona ion de, bi taybetî di pêvajoyên hilberîna nîvconductor de tê bikar anîn. Ev celeb têl tungsten di alavên nîvconductor de rolek girîng dilîze, û kalîte û performansa wê rasterast bandorê li ser kargêriya xetên pêvajoya IC dike. Makîneya implantasyona îyonê di pêvajoya hilberîna VLSI (Circuitek Yekgirtî ya Pîvana Pir Mezin) de amûrek sereke ye, û rola têla tungsten wekî çavkaniyek ion nayê paşguh kirin.
| Dimensions | Wek rismên te |
| Cihê Origin | Luoyang, Henan |
| Navê marka | FGD |
| Bikaranînî | semiconductor |
| Rû | Çermê reş, şuştina alkalî, şewqa gerîdeyê, paqijkirî |
| Paqijiyê | Rêsakanî bekarhênan 99.95% |
| Mal | W1 |
| Density | 19,3 g/cm3 |
| Standardên darvekirinê | GB / T 4181-2017 |
| Xala helandinê | 3400℃ |
| Naveroka nepakiyê | 0.005% |
| pêkhateyên sereke | W＞99.95% |
| Naveroka nepakî≤ | |
| Pb | 0.0005 |
| Fe | 0.0020 |
| S | 0.0050 |
| P | 0.0005 |
| C | 0.01 |
| Cr | 0.0010 |
| Al | 0.0015 |
| Cu | 0.0015 |
| K | 0.0080 |
| N | 0.003 |
| Sn | 0.0015 |
| Si | 0.0020 |
| Ca | 0.0015 |
| Na | 0.0020 |
| O | 0.008 |
| Ti | 0.0010 |
| Mg | 0.0010 |
1. Kargeha me li bajarê Luoyang, parêzgeha Henan e. Luoyang herêmek hilberînê ye ji bo kanên tungsten û molîbdenumê, ji ber vê yekê em di kalîte û bihayê de xwedan avantajên bêkêmasî ne;
2. Pargîdaniya me xwedan personelên teknîkî yên bi ser 15 sal tecrûbe ne, û em ji bo hewcedariyên her xerîdar çareserî û pêşniyarên armancdar peyda dikin.
3. Hemî hilberên me berî ku werin hinardekirin di bin kontrola kalîteyê ya hişk de ne.
4. Heke hûn tiştên xeletî bistînin, hûn dikarin ji bo vegerandina me re têkilî daynin.
1.Hilbijartina materyalê xav
(Materyalên xav ên tungstenê yên qalîteya bilind hilbijêrin da ku paqijî û taybetmendiyên mekanîkî yên hilbera paşîn piştrast bikin. )
2. Melkirin û Paqijkirin
(Materyalên xav ên tungstenê yên hilbijartî di hawîrdorek kontrolkirî de têne helandin da ku nepaqijiyan rakin û paqijiya xwestinê bi dest bixin.)
3. Wire xêzkirin
(Materyalên tungstenê yên safîkirî di nav rêzek mirinê de tê derxistin an tê kişandin da ku bigihîje pîvana têl û taybetmendiyên mekanîkî yên pêwîst.)
4.Pirkirin
(Têla tungstenê ya xêzkirî ji bo ku stresa hundurîn ji holê rabike û pêbaweriya xwe û performansa hilberandinê baştir bike, tê şilandin)
5. Pêvajoya Implantasyona Ion
Di vê rewşa taybetî de, fîla tungsten bixwe dibe ku di pêvajoyek pêvekirina îyonê de derbas bibe, ku tê de îyon di rûyê fîlamenta tungstenê de têne derzî kirin da ku taybetmendiyên xwe biguhezîne da ku performansa di implantera ionê de zêde bike.)
Di pêvajoya hilberîna çîpê ya nîvconductor de, makîneya implantasyona ion yek ji wan amûrên sereke ye ku ji bo veguheztina şemaya çîpê ji maskê berbi şibaka silicon veguhezîne û fonksiyona çîpê armanc bigire. Ev pêvajo gavên wekî paqijkirina mekanîkî ya kîmyewî, depokirina fîlima zirav, fotolîtografî, etching, û pêvekirina îonê vedihewîne, ku di nav wan de îlonkirina îyonê yek ji navgînên girîng e ji bo baştirkirina performansa waferên silicon. Serîlêdana makîneyên implantasyona ionê bi bandor dem û lêçûna hilberîna çîpê kontrol dike, di heman demê de performans û pêbaweriya çîpê baştir dike.
Erê, fîlanên tungstenê di dema pêvajoya îlonê de ji gemarê re têkildar in. Girtîbûn dikare ji ber cûrbecûr faktoran çêbibe, wek gazên bermayî, perçe, an nepakiyên ku di odeya îlonê de hene. Van gemarî dikarin li ser rûbera pelika tungstenê bisekine, bandorê li paqijiya wê bike û bi potansiyel bandorê li performansa pêvajoya îlonê bike. Ji ber vê yekê, domandina jîngehek paqij û kontrolkirî di hundurê jûreya implantasyona ion de ji bo kêmkirina metirsiya gemarê û misogerkirina yekparebûna pelika tungstenê pir girîng e. Pêvajoyên paqijkirin û lênêrînê yên birêkûpêk jî dikarin bibin alîkar ku potansiyela gemarê di dema îlonê de kêm bike.
Têla tungsten ji bo xala xweya helînê ya bilind û taybetmendiyên mekanîkî yên hêja tê zanîn, ku ew di bin şert û mercên normal îlonê de li hember deformasyonê berxwe dide. Lêbelê, germahiya ku di dema bomberdûmana îyonê ya bi enerjiya bilind û îlonê de tê hilberandin dikare bi demê re bibe sedema tevliheviyê, nemaze heke pîvanên pêvajoyê bi baldarî neyên kontrol kirin.
Faktorên wekî tundî û dirêjahiya tîrêjê îyonê û astên germahî û stresê yên ku ji hêla têla tungstenê ve têne ceribandin hemî dikarin bibin sedema potansiyela deformasyonê. Wekî din, her nepakî an kêmasiyên di têla tungstenê de dê hestiyariya deformasyonê zêde bike.
Ji bo kêmkirina xetera deformasyonê, pêdivî ye ku pîvanên pêvajoyê bi baldarî werin şopandin û kontrol kirin, divê paqijî û kalîteya pelika tungsten were misoger kirin, û divê protokolên lênihêrîn û vekolînê yên guncan ji bo alavên implantasyona ionê bêne bicîh kirin. Bi rêkûpêk nirxandina rewş û performansa têla tungsten dikare bibe alîkar ku hûn nîşanên guheztinê nas bikin û li gorî hewcedariyê tevdîrên rast bikin.
