មានធ្នឹមអ៊ីយ៉ុងខ្យល់យ៉ាងធ្ងន់ធ្ងរចូលទៅក្នុងវត្ថុរឹងមួយ ធ្នឹមអ៊ីយ៉ុងទៅអាតូមវត្ថុធាតុរឹងឬម៉ូលេគុលចូលទៅក្នុងផ្ទៃសម្ភារៈរឹង បាតុភូតនេះត្រូវបានគេហៅថា ion beam sputtering; ហើយនៅពេលដែលវត្ថុរឹង ផ្ទៃនៃវត្ថុធាតុរឹងបានត្រលប់មកវិញ ឬចេញពីវត្ថុរឹងទៅនឹងបាតុភូតទាំងនេះត្រូវបានគេហៅថា ការខ្ចាត់ខ្ចាយ។ មានបាតុភូតមួយទៀតគឺថាបន្ទាប់ពីធ្នឹមអ៊ីយ៉ុងទៅវត្ថុរឹងដោយវត្ថុរឹងហើយកាត់បន្ថយភាពធន់ទ្រាំយឺត ៗ ហើយនៅទីបំផុតនៅក្នុងវត្ថុរឹងបាតុភូតនេះត្រូវបានគេហៅថាការផ្សាំអ៊ីយ៉ុង។
បច្ចេកទេសដាំអ៊ីយ៉ុង៖
គឺជាប្រភេទនៃបច្ចេកវិទ្យាកែប្រែផ្ទៃសម្ភារៈដែលបានអភិវឌ្ឍយ៉ាងឆាប់រហ័ស និងត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងពិភពលោកក្នុងរយៈពេល 30 ឆ្នាំចុងក្រោយនេះ។ គោលការណ៍ជាមូលដ្ឋានគឺត្រូវប្រើថាមពលនៃឧប្បត្តិហេតុធ្នឹមអ៊ីយ៉ុងទៅតាមលំដាប់នៃវត្ថុធាតុ 100keV ទៅធ្នឹមអ៊ីយ៉ុង ហើយវត្ថុធាតុនៃអាតូម ឬម៉ូលេគុលនឹងជាស៊េរីនៃអន្តរកម្មរូបវន្ត និងគីមី ការបាត់បង់ថាមពលអ៊ីយ៉ុងជាបណ្តើរៗ ការបញ្ឈប់ចុងក្រោយនៅក្នុង សម្ភារៈ និងបណ្តាលឱ្យរចនាសម្ព័ន្ធ និងលក្ខណៈសម្បត្តិនៃសមាសភាពផ្ទៃសម្ភារៈ ផ្លាស់ប្តូរ។ ដើម្បីបង្កើនប្រសិទ្ធភាពលក្ខណៈសម្បត្តិផ្ទៃនៃវត្ថុធាតុដើម ឬដើម្បីទទួលបានលក្ខណៈសម្បត្តិថ្មីៗមួយចំនួន។ បច្ចេកវិទ្យាថ្មីដោយសារតែគុណសម្បត្តិពិសេសរបស់វាមាននៅក្នុងសម្ភារៈ semiconductor doped, លោហៈ, សេរ៉ាមិច, វត្ថុធាតុ polymer, ការកែប្រែផ្ទៃត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយ, ទទួលបានអត្ថប្រយោជន៍សេដ្ឋកិច្ចនិងសង្គមដ៏អស្ចារ្យ។
ការផ្សាំអ៊ីយ៉ុងជាបច្ចេកវិទ្យាសារធាតុ doping ដ៏សំខាន់នៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យាមីក្រូអេឡិចត្រូនិចដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការធ្វើឱ្យលក្ខណៈសម្បត្តិផ្ទៃរបស់សម្ភារៈមានភាពប្រសើរឡើង។ បច្ចេកវិទ្យា implantation អ៊ីយ៉ុង ដំណើរការសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ខ្លាំងណាស់ និងធន់ទ្រាំនឹងការ corrosion គីមីនៃសម្ភារៈ។ ដូច្នេះផ្នែកសំខាន់ៗនៃអង្គជំនុំជម្រះអ៊ីយ៉ូដត្រូវបានផលិតចេញពីវត្ថុធាតុ tungsten, molybdenum ឬ graphite ។ Gemei ឆ្នាំនៃការស្រាវជ្រាវឧស្សាហកម្មនិងការផលិតដោយការផ្សាំអ៊ីយ៉ុងនៃសម្ភារៈ molybdenum tungsten ដំណើរការផលិតមានស្ថេរភាពនិងបទពិសោធន៍សម្បូរបែប។
ផលិតផលក្តៅសម្រាប់ការផ្សាំអ៊ីយ៉ុង
