Жоғары таза ионды имплантациялау вольфрам талшығы
Ионды имплантациялау вольфрам сымы иондық имплантациялау машиналарында, негізінен жартылай өткізгіштерді өндіру процестерінде қолданылатын негізгі компонент болып табылады. Вольфрам сымының бұл түрі жартылай өткізгіш жабдықтарда маңызды рөл атқарады және оның сапасы мен өнімділігі IC технологиялық желілерінің тиімділігіне тікелей әсер етеді. Ионды имплантациялау машинасы VLSI (өте үлкен масштабты біріктірілген схема) өндірісіндегі негізгі жабдық болып табылады және ион көзі ретінде вольфрам сымының рөлін елемеуге болмайды. .
| Өлшемдері | Сіздің сызбаларыңыз ретінде |
| Шығу орны | Лоян, Хэнань |
| Бренд атауы | FGD |
| Қолданба | жартылай өткізгіш |
| Беткей | Қара тері, сілті жуу, автокөлік жылтыр, жылтыратылған |
| Тазалық | 99,95% |
| Материал | W1 |
| Тығыздығы | 19,3 г/см3 |
| Орындау стандарттары | GB/T 4181-2017 |
| Балқу нүктесі | 3400℃ |
| Қоспаның мазмұны | 0,005% |
| Негізгі компоненттер | W＞99,95% |
| Қоспаның мазмұны≤ | |
| Pb | 0,0005 |
| Fe | 0,0020 |
| S | 0,0050 |
| P | 0,0005 |
| C | 0,01 |
| Cr | 0,0010 |
| Al | 0,0015 |
| Cu | 0,0015 |
| K | 0,0080 |
| N | 0,003 |
| Sn | 0,0015 |
| Si | 0,0020 |
| Ca | 0,0015 |
| Na | 0,0020 |
| O | 0,008 |
| Ti | 0,0010 |
| Mg | 0,0010 |
1. Біздің зауыт Хэнань провинциясының Луоян қаласында орналасқан. Луоян - вольфрам және молибден кеніштерінің өндірістік аймағы, сондықтан бізде сапа мен баға бойынша абсолютті артықшылықтар бар;
2. Біздің компанияда 15 жылдан астам тәжірибесі бар техникалық персонал бар және біз әрбір тұтынушының қажеттіліктері үшін мақсатты шешімдер мен ұсыныстарды ұсынамыз.
3. Біздің барлық өнімдер экспортқа шығар алдында қатаң сапа тексеруінен өтеді.
4. Ақаулы тауарды алсаңыз, ақшаны қайтару үшін бізбен байланыса аласыз.
1. Шикізат таңдау
(Түпкілікті өнімнің тазалығы мен механикалық қасиеттерін қамтамасыз ету үшін жоғары сапалы вольфрам шикізатын таңдаңыз. )
2. Балқыту және тазарту
(Таңдалған вольфрам шикізаты қоспаларды кетіру және қажетті тазалыққа жету үшін бақыланатын ортада балқытылады.)
3. Сым салу
(Тазаланған вольфрам материалы қажетті сым диаметрі мен механикалық қасиеттерге қол жеткізу үшін экструдталған немесе бірқатар матрицалар арқылы тартылады.)
4. Күйдіру
(Сызылған вольфрам сымы ішкі кернеуді жою және оның икемділігі мен өңдеу өнімділігін жақсарту үшін күйдіріледі)
5. Ионды имплантациялау процесі
Бұл нақты жағдайда вольфрам жіпінің өзі ион имплантациялау процесіне ұшырауы мүмкін, онда иондар ион имплантаторындағы өнімділікті арттыру үшін оның қасиеттерін өзгерту үшін вольфрам талшығының бетіне иондар енгізіледі.)
Жартылай өткізгішті чиптерді өндіру процесінде ионды имплантациялау машинасы чиптің схемасын маскадан кремний пластинасына ауыстыру және мақсатты чип функциясына қол жеткізу үшін пайдаланылатын негізгі жабдықтың бірі болып табылады. Бұл процесс химиялық механикалық жылтырату, жұқа қабықша тұндыру, фотолитография, өрнектеу және ионды имплантациялау сияқты қадамдарды қамтиды, олардың арасында ионды имплантациялау кремний пластинкаларының жұмысын жақсартудың маңызды құралдарының бірі болып табылады. Ионды имплантациялау машиналарын қолдану чиптердің өнімділігі мен сенімділігін арттыра отырып, чип өндірісінің уақыты мен құнын тиімді басқарады. .
Иә, вольфрам жіптері иондарды имплантациялау процесінде ластануға бейім. Ластану иондық имплантация камерасында болатын қалдық газдар, бөлшектер немесе қоспалар сияқты әртүрлі факторларға байланысты болуы мүмкін. Бұл ластаушы заттар вольфрам жіпшесінің бетіне жабысып, оның тазалығына әсер етіп, ион имплантация процесінің өнімділігіне әсер етуі мүмкін. Сондықтан иондық имплантация камерасында таза және бақыланатын ортаны сақтау ластану қаупін азайту және вольфрам жіпінің тұтастығын қамтамасыз ету үшін өте маңызды. Тұрақты тазалау және техникалық қызмет көрсету процедуралары иондарды имплантациялау кезінде ластану ықтималдығын азайтуға көмектеседі.
Вольфрам сымы өзінің жоғары балқу температурасымен және тамаша механикалық қасиеттерімен танымал, бұл оны қалыпты иондарды имплантациялау жағдайында деформацияға төзімді етеді. Дегенмен, жоғары энергиялы ионды бомбалау және иондарды имплантациялау кезінде пайда болатын жылу уақыт өте келе бұрмалануға әкелуі мүмкін, әсіресе процесс параметрлері мұқият бақыланбаса.
Иондық сәуленің қарқындылығы мен ұзақтығы, вольфрам сымының температурасы мен кернеу деңгейі сияқты факторлар деформация ықтималдығына ықпал етуі мүмкін. Сонымен қатар, вольфрам сымындағы кез келген қоспалар немесе ақаулар деформацияға бейімділікті күшейтеді.
Деформация қаупін азайту үшін процесс параметрлерін мұқият бақылау және бақылау, вольфрам жіпшесінің тазалығы мен сапасын қамтамасыз ету, иондық имплантациялау жабдығына тиісті техникалық қызмет көрсету және тексеру хаттамаларын енгізу қажет. Вольфрам сымының күйі мен өнімділігін жүйелі түрде бағалау бұрмалану белгілерін анықтауға және қажет болған жағдайда түзету шараларын қабылдауға көмектеседі.
