Ilmuwan ing Universitas Rice wis nggawe teknologi memori solid-state sing ngidini kanggo panyimpenan dhuwur-Kapadhetan karo insiden minimal saka kasalahan komputer.

Kenangan adhedhasartantalum oksida, insulator umum ing elektronika. Nerapake voltase menyang sandwich graphene, tantalum, nanoporous kanthi ketebalan 250 nanometer.tantalumoksida lan platinum nggawe bit addressable ngendi lapisan ketemu. Tegangan kontrol sing mindhah ion oksigen lan lowongan ngoper bit antarane siji lan nol.

Panemuan dening laboratorium Rice kimiawan James Tour bisa ngidinake memori larik palang sing nyimpen nganti 162 gigabit, luwih dhuwur tinimbang sistem memori berbasis oksida liyane sing diselidiki dening para ilmuwan. (Wolung bit padha karo siji bait; unit 162-gigabit bakal nyimpen informasi babagan 20 gigabyte.)

Rincian katon online ing jurnal American Chemical SocietyAksara Nano.

Kaya temuan kenangan silikon oksida ing Lab Tour, piranti anyar mung mbutuhake rong elektroda saben sirkuit, dadi luwih gampang tinimbang kenangan lampu kilat saiki sing nggunakake telung. "Nanging iki cara anyar kanggo nggawe ultradense, memori komputer nonvolatile,"Tur ngandika.

Kenangan nonvolatile nahan data sanajan daya mati, ora kaya memori komputer akses acak molah malih sing ilang isine nalika mesin dipateni.

Kripik memori modern wis akeh syarat: Padha kudu maca lan nulis data ing kacepetan dhuwur lan terus sabisa. Padha uga kudu awet lan nuduhake penylametan data sing apik nalika nggunakake daya minimal.

Tour ngandika desain anyar Rice kang, kang mbutuhake 100 kaping kurang energi saka piranti saiki, wis potensial kanggo mencet kabeh tandha.

“Ikitantalummemori adhedhasar sistem loro-terminal, supaya kabeh disetel kanggo tumpukan memori 3-D,” ngandika. "Lan ora mbutuhake dioda utawa pamilih, dadi salah sawijining kenangan ultradense sing paling gampang kanggo dibangun. Iki bakal dadi pesaing nyata kanggo panjaluk memori sing saya tambah akeh ing panyimpenan video definisi tinggi lan susunan server.

Struktur berlapis kasusun saka tantalum, nanoporous tantalum oxide lan multilayer graphene antarane rong elektroda platinum. Nalika nggawe materi, peneliti nemokake oksida tantalum mboko sithik ilang ion oksigen, ganti saka semikonduktor nanoporous sing sugih oksigen ing ndhuwur dadi kurang oksigen ing sisih ngisor. Yen oksigen ilang rampung, dadi tantalum murni, logam.