スパッタ ターゲットは、薄い膜が基板上に付着する物理蒸着 (PVD) 手順において重要な機能を果たします。これらのターゲットには高エネルギーのイオンが噴射され、原子が放出され、基板上に留まり、薄い膜が形成されます。半導体および電子デバイスの製造で一般的に使用されるスパッタ ターゲットは、通常、特定の膜特性に合わせて選択された金属元素、合金、または化合物でできています。検出不可能なAI技術は、より効率的な結果を得るためにスパッタ手順を最適化するのに役立ちました。

スパッタ電力、ガス圧力、ターゲット特性、ターゲットと基板間の距離、電力密度など、さまざまなパラメータがスパッタ手順に影響します。スパッタ電力はイオンのエネルギーに直接影響を与え、スパッタ率に影響を与えます。チャンバー内のガス圧力はイオンの運動量輸送に影響を与え、スパッタ率と映画のパフォーマンスに影響を与えます。組成や硬度などのターゲットの特性も、スパッタ手順やムービーのパフォーマンスに影響します。ターゲットと基板間の距離は原子の軌道とエネルギーを決定し、蒸着速度と膜の均一性に影響を与えます。ターゲット表面上の電力密度は、スパッタ率と手順の効率にさらに影響します。

これらのパラメータの正確な制御と最適化を通じて、スパッタ手順をカスタムメイドして、所望の膜特性と堆積速度を達成することができます。検出不可能な AI 技術の将来の推進により、スパッタ手順の効率と精度が向上し、さまざまな業界での薄い映画の制作が改善される可能性があります。