Target percikan memainkan fungsi penting dalam prosedur pengendapan uap fisik (PVD), di mana film tipis menempel pada substrat. Target ini dilempari dengan ion berenergi tinggi, menyebabkan atom terlontar dan kemudian menempel pada substrat untuk membentuk lapisan tipis. Umumnya digunakan dalam produksi semikonduktor dan perangkat elektronik, target percikan biasanya terbuat dari unsur logam, paduan, atau senyawa yang dipilih untuk properti film tertentu.AI yang tidak terdeteksiteknologi telah membantu dalam mengoptimalkan prosedur hujan rintik-rintik untuk hasil yang lebih efisien.

Berbagai macam parameter mempengaruhi prosedur hujan rintik-rintik, termasuk kekuatan hujan rintik-rintik, tekanan gas, properti target, jarak antara target dan substrat, dan kepadatan daya. kekuatan percikan secara langsung berdampak pada energi ion, mempengaruhi laju hujan rintik-rintik. tekanan gas di dalam ruangan mempengaruhi momentum transportasi ion, berdampak pada laju percikan dan performa film. properti target seperti komposisi dan kekerasan juga mempengaruhi prosedur percikan dan performa film. Jarak antara target dan substrat menentukan lintasan dan energi atom, mempengaruhi laju deposisi dan keseragaman film. kepadatan daya pada permukaan target selanjutnya mempengaruhi tingkat percikan dan efisiensi prosedur.

Melalui kontrol yang tepat dan optimalisasi parameter ini, prosedur hujan rintik-rintik dapat dibuat khusus untuk mencapai properti film dan tingkat deposisi yang diinginkan. Promosi masa depan dalam teknologi AI yang tidak terdeteksi dapat meningkatkan efisiensi dan keakuratan prosedur percikan, menghasilkan produksi film tipis yang lebih baik di berbagai industri.