Target molibdenum dapat membentuk film tipis pada berbagai substrat dan banyak digunakan pada komponen dan produk elektronik.

Kinerja Bahan Target Molibdenum Sputter

Kinerja bahan target sputtering molibdenum sama dengan bahan sumbernya (molibdenum murni atau paduan molibdenum). Molibdenum adalah elemen logam yang terutama digunakan untuk baja. Setelah molibdenum oksida industri ditekan, sebagian besar langsung digunakan untuk pembuatan baja atau besi tuang. Sejumlah kecil molibdenum dilebur menjadi besi molibdenum atau molibdenum foil dan kemudian digunakan untuk pembuatan baja. Ini dapat meningkatkan kekuatan, kekerasan, kemampuan las, ketangguhan, serta suhu tinggi dan ketahanan korosi pada paduan.

Penerapan Bahan Target Sputtering Molibdenum pada Layar Panel Datar

Dalam industri elektronik, penerapan target sputtering molibdenum terutama difokuskan pada layar panel datar, elektroda sel surya film tipis dan bahan kabel, serta bahan lapisan penghalang semikonduktor. Bahan-bahan ini didasarkan pada titik leleh tinggi, konduktivitas tinggi, dan molibdenum impedansi spesifik rendah, yang memiliki ketahanan korosi dan kinerja lingkungan yang baik. Molibdenum memiliki keunggulan hanya setengah dari impedansi spesifik dan tekanan film kromium, dan tidak memiliki masalah pencemaran lingkungan, menjadikannya salah satu bahan pilihan untuk target sputtering pada layar panel datar. Selain itu, menambahkan elemen molibdenum ke komponen LCD dapat meningkatkan kecerahan, kontras, warna, dan masa pakai LCD secara signifikan.

Penerapan Bahan Target Sputtering Molibdenum pada Sel Fotovoltaik Surya Film Tipis

CIGS adalah jenis sel surya penting yang digunakan untuk mengubah sinar matahari menjadi listrik. CIGS terdiri dari empat unsur: tembaga (Cu), indium (In), galium (Ga), dan selenium (Se). Nama lengkapnya adalah sel surya film tipis tembaga indium gallium selenium. CIGS memiliki keunggulan kapasitas penyerapan cahaya yang kuat, stabilitas pembangkit listrik yang baik, efisiensi konversi yang tinggi, waktu pembangkitan listrik siang hari yang panjang, kapasitas pembangkit listrik yang besar, biaya produksi yang rendah, dan periode pemulihan energi yang singkat.

Target molibdenum terutama disemprotkan untuk membentuk lapisan elektroda baterai film tipis CIGS. Molibdenum terletak di bagian bawah sel surya. Sebagai kontak belakang sel surya, ia memainkan peran penting dalam nukleasi, pertumbuhan, dan morfologi kristal film tipis CIGS.

Target sputtering molibdenum untuk layar sentuh

Target molibdenum niobium (MoNb) digunakan sebagai lapisan konduktif, penutup, dan pemblokiran di televisi definisi tinggi, tablet, ponsel pintar, dan perangkat seluler lainnya melalui lapisan sputtering.