Gen yon gwo bout bwa ion lè grav nan yon materyèl solid, gwo bout bwa a ion nan atòm materyèl solid oswa molekil nan sifas materyèl solid, yo rele fenomèn sa a sputtering gwo bout bwa ion; ak lè materyèl la solid, sifas la nan materyèl solid rebondi tounen, oswa soti nan materyèl solid nan fenomèn sa yo rele gaye; gen yon lòt fenomèn se ke apre gwo bout bwa a ion nan materyèl la solid pa materyèl solid epi redwi rezistans a tou dousman desann, epi finalman rete nan materyèl solid, yo rele fenomèn sa a enplantasyon ion.
Teknik implantation ion:
Se yon kalite teknoloji modifikasyon sifas materyèl ki te devlope rapidman ak lajman itilize nan mond lan nan 30 dènye ane yo. Prensip debaz la se sèvi ak enèji nan ensidan gwo bout bwa ion nan lòd la nan materyèl 100keV nan gwo bout bwa ion ak materyèl yo nan atòm yo oswa molekil yo pral yon seri de entèraksyon fizik ak chimik, ensidan an pèt enèji ion piti piti, dènye arè nan materyèl la, ak lakòz estrikti a ak pwopriyete nan konpozisyon sifas materyèl, chanje. Yo nan lòd yo optimize pwopriyete yo sifas nan materyèl, oswa jwenn kèk pwopriyete nouvo. Nouvo teknoloji a paske nan avantaj inik li yo, te nan materyèl la semiconductor dope, metal, seramik, polymère, modifikasyon sifas se lajman ki itilize, te reyalize gwo benefis ekonomik ak sosyal.
Enplantasyon Iyon kòm yon teknoloji dopan enpòtan nan teknoloji mikwo elektwonik jwe yon wòl kle nan optimize pwopriyete sifas materyèl yo. Teknoloji implantation ion se pèfòmans tanperati trè wo ak rezistans nan rezistans korozyon chimik nan materyèl la. Se poutèt sa, pati prensipal yo nan chanm nan ionizasyon yo te fè nan tengstèn, molybdène oswa materyèl grafit. Gemei ane nan rechèch endistri ak pwodiksyon pa enplantasyon ion nan materyèl tengstèn molybdène, pwosesis pwodiksyon an gen eksperyans ki estab ak rich.
Pwodwi cho pou implantation Ion
