Cibles de pulvérisationsont des matériaux utilisés pour déposer des films minces sur des substrats lors du processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Le matériau cible est bombardé d’ions à haute énergie, provoquant l’éjection des atomes de la surface cible. Ces atomes pulvérisés sont ensuite déposés sur un substrat, formant un film mince. Les cibles de pulvérisation cathodique sont couramment utilisées dans la production de semi-conducteurs, de cellules solaires et d'autres appareils électroniques. Ils sont généralement constitués de métaux, d'alliages ou de composés sélectionnés en fonction des propriétés souhaitées du film déposé.

Le processus de pulvérisation cathodique est affecté par plusieurs paramètres, notamment :

1. Puissance de pulvérisation : La quantité de puissance appliquée pendant le processus de pulvérisation affectera l'énergie des ions pulvérisés, affectant ainsi le taux de pulvérisation.

2. Pression du gaz de pulvérisation : La pression du gaz de pulvérisation dans la chambre affecte le transfert d'impulsion des ions pulvérisés, affectant ainsi le taux de pulvérisation et les performances du film.

3. Propriétés cibles : Les propriétés physiques et chimiques de la cible de pulvérisation, telles que sa composition, sa dureté, son point de fusion, etc., peuvent affecter le processus de pulvérisation et les performances du film déposé.

4. La distance entre la cible et le substrat : La distance entre la cible de pulvérisation et le substrat affectera la trajectoire et l'énergie des atomes pulvérisés, affectant ainsi le taux de dépôt et l'uniformité du film.

5. Densité de puissance : La densité de puissance appliquée à la surface cible affecte le taux de pulvérisation et l’efficacité du processus de pulvérisation.

En contrôlant et en optimisant soigneusement ces paramètres, le processus de pulvérisation peut être adapté pour obtenir les propriétés de film et les taux de dépôt souhaités.