Sputter helburuakLurrun-deposizio fisikoaren (PVD) prozesuan substratuetan film meheak uzteko erabiltzen diren materialak dira. Helburuko materiala energia handiko ioiekin bonbardatzen da, eta atomoak xede gainazaletik kanporatzen dituzte. Gero, ihinztatutako atomo hauek substratu batean metatzen dira, film mehe bat osatuz. Sputtering helburuak erdieroaleen, eguzki-zelulen eta beste gailu elektronikoen ekoizpenean erabiltzen dira. Oro har, metatutako filmaren nahi diren propietateen arabera hautatzen diren metalez, aleazioez edo konposatuez eginak daude.

Sputtering prozesuan hainbat parametrok eragiten dute, besteak beste:

1. Sputtering-ahalmena: Sputtering-prozesuan aplikatutako potentzia kantitateak sputtering-a ioien energiari eragingo dio, eta, ondorioz, sputtering-tasa eragingo du.

2. Sputtering gasaren presioa: ganberako sputtering gasaren presioak sputtering ioien momentu-transferentziari eragiten dio, eta, ondorioz, sputtering-tasa eta filmaren errendimendua eragiten du.

3. Helburu-propietateak: Sputtering helburuaren propietate fisiko eta kimikoek, hala nola bere konposizioa, gogortasuna, urtze-puntua, etab., sputtering-prozesuan eta metatutako filmaren errendimenduan eragina izan dezakete.

4. Helburuaren eta substratuaren arteko distantzia: sputtering helburuaren eta substratuaren arteko distantziak sputteratutako atomoen ibilbidean eta energian eragina izango du, eta horrela filmaren deposizio-tasa eta uniformetasuna eragingo du.

5. Potentzia-dentsitatea: xede-gainazalean aplikatutako potentzia-dentsitateak sputtering-tasa eta sputtering-prozesuaren eraginkortasuna eragiten du.

Parametro hauek arretaz kontrolatuz eta optimizatuz, sputtering prozesua egokitu daiteke nahi diren filmaren propietateak eta deposizio-tasa lortzeko.