Sputtertargetssind Materialien, die zur Abscheidung dünner Filme auf Substraten während des PVD-Prozesses (Physical Vapour Deposition) verwendet werden. Das Targetmaterial wird mit hochenergetischen Ionen beschossen, wodurch Atome aus der Targetoberfläche herausgeschleudert werden. Diese gesprühten Atome werden dann auf einem Substrat abgeschieden und bilden einen dünnen Film. Sputtertargets werden häufig bei der Herstellung von Halbleitern, Solarzellen und anderen elektronischen Geräten verwendet. Sie bestehen normalerweise aus Metallen, Legierungen oder Verbindungen, die auf der Grundlage der gewünschten Eigenschaften des abgeschiedenen Films ausgewählt werden.

Der Sputterprozess wird von mehreren Parametern beeinflusst, darunter:

1. Sputterleistung: Die während des Sputtervorgangs zugeführte Leistung beeinflusst die Energie der gesputterten Ionen und damit die Sputterrate.

2. Sputtergasdruck: Der Druck des Sputtergases in der Kammer beeinflusst die Impulsübertragung der gesputterten Ionen und beeinflusst dadurch die Sputterrate und die Filmleistung.

3. Targeteigenschaften: Die physikalischen und chemischen Eigenschaften des Sputtertargets, wie z. B. seine Zusammensetzung, Härte, Schmelzpunkt usw., können den Sputterprozess und die Leistung des abgeschiedenen Films beeinflussen.

4. Der Abstand zwischen dem Target und dem Substrat: Der Abstand zwischen dem Sputtertarget und dem Substrat beeinflusst die Flugbahn und Energie der gesputterten Atome und beeinflusst dadurch die Abscheidungsrate und die Gleichmäßigkeit des Films.

5. Leistungsdichte: Die auf die Targetoberfläche ausgeübte Leistungsdichte beeinflusst die Sputterrate und die Effizienz des Sputterprozesses.

Durch sorgfältige Steuerung und Optimierung dieser Parameter kann der Sputterprozess so angepasst werden, dass die gewünschten Filmeigenschaften und Abscheidungsraten erreicht werden.