China puri 99.95% tungsten target tungsten disc per l'industria Fabbricante è Supplier

Puru 99.95% tungsten target tungsten disc per l'industria

Breve descrizione:

Obiettivi di tungstenu è dischi di tungstenu sò cumunimenti usati in una varietà di applicazioni industriali, in particulare in i prucessi di deposizione di film sottile è di rivestimentu. U tungstenu hè cunnisciutu per u so altu puntu di fusione, un'eccellente conduttività termale è a resistenza à a corrosione, facendu un materiale ideale per tali applicazioni.

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Detail di u produttu

Tags di u produttu

Descrizzione di u produttu

U materiale di destinazione di tungstenu hè un pruduttu fattu da u polu di tungstenu puru è hà un aspettu biancu d'argentu. Hè populari in parechji campi per via di e so eccellenti proprietà fisiche è chimiche. A purezza di i materiali di destinazione di tungstenu pò di solitu ghjunghje à 99,95% o più altu, è anu caratteristiche cum'è bassa resistenza, altu puntu di fusione, bassu coefficient d'espansione, bassa pressione di vapore, non toxicità è micca radiuattività. Inoltre, i materiali di destinazione di tungstenu anu ancu una bona stabilità termochimica è ùn sò micca propensi à espansione di u voluminu o cuntrazione, reazzione chimica cù altre sustanzi, è altri fenomeni.

Specificazioni di u produttu

Dimensioni	Cum'è a vostra esigenza
Locu d'origine	Luoyang, Henan
Nome di marca	FGD
Applicazione	Medica, Industria, Semiconductor
Forma	Round
Superficie	Pulitu
Purità	99,95%
Grade	W1
Densità	19,3 g/cm3
Puntu di fusione	3420 ℃
Puntu di ebollizione	5555 ℃

Cumpusizioni chimica

Cumpunenti principali	W＞99,95%
Cuntenutu di impurità ≤
Pb	0,0005
Fe	0,0020
S	0,0050
P	0,0005
C	0,01
Cr	0,0010
Al	0,0015
Cu	0,0015
K	0,0080
N	0,003
Sn	0,0015
Si	0,0020
Ca	0,0015
Na	0,0020
O	0,008
Ti	0,0010
Mg	0,0010

Specificazioni cumuni

Diamitru	φ25,4 mm	φ50 mm	φ50,8 mm	φ60 mm	φ76,2 mm	φ80,0 mm	φ101,6 mm	φ100 mm
Spessore	3 mm	4 mm	5 mm	6 mm	6.35

Perchè Sceglie Noi

1. A nostra fabbrica si trova in Luoyang City, Henan Province. Luoyang hè una zona di pruduzzione per e mine di tungstenu è molibdenu, cusì avemu vantaghji assoluti in qualità è prezzu;

2. A nostra cumpagnia hà un persunale tecnicu cù più di 15 anni di sperienza, è furnimu suluzioni mirati è suggerimenti per i bisogni di ogni cliente.

3. Tutti i nostri prudutti sò sottumessi à un strettu cuntrollu di qualità prima di esse esportatu.

4. Sè avete ricevutu merchenzie difettu, pudete cuntattateci per un rimborsu.

Flussu di pruduzzione

1.Metudu di metallurgia di polveri

(Preme a polvera di tungstenu in forma è poi sinterisce à alta temperatura in una atmosfera d'idrogenu)

2. Preparazione di Sputtering Target Materials

(Depositu di materiale di tungstenu nantu à un sustrato per furmà una film fina)

3. pressing isostatic calda

(Trattamentu di densificazione di u materiale di tungstenu applicà simultaneamente alta temperatura è alta pressione)

4.Metudu di fusione

(Utilizà a temperatura alta per scioglie cumplettamente u tungstenu, è poi fà materiali di destinazione per casting o altri prucessi di furmazione)

5. Depositu di vapore chimicu

(Méthode de décomposition du précurseur gazeux à haute température et de dépôt de tungstène sur substrat)

Applicazioni

Tecnulugia di rivestimentu di film sottile: I target di tungstenu sò ancu largamente utilizati in tecnulugia di rivestimentu di film sottile cum'è a deposizione fisica di vapore (PVD) è a deposizione chimica di vapore (CVD). In u prucessu PVD, u target di tungstenu hè bombardatu da ioni d'alta energia, evaporatu è dipositu nantu à a superficia di l'ostia, furmendu un film densu di tungstenu. Stu film hà una durezza estremamente alta è resistenza à l'usura, chì ponu migliurà efficacemente a forza meccanica è a durabilità di i dispositi semiconduttori. In u prucessu CVD, u materiale di destinazione di tungstenu hè dipositu nantu à a superficia di l'ostia per via di una reazione chimica à alta temperatura per furmà un revestimentu uniforme, chì hè particularmente adattatu per l'usu in i dispositi semiconduttori d'alta putenza è di freccia alta.

Certificati

Schema di spedizione

FAQs

Chì sò i vantaghji principali di i materiali di destinazione di tungstenu?

U molibdenu hè spessu usatu cum'è materiale di destinazione in a mammografia per via di e so proprietà favurevuli per l'imaghjini di u tessulu mammariu. U molibdenu hà un numeru atomicu relativamente bassu, chì significa chì i raghji X chì pruduce sò ideali per l'imaghjini di i tessuti molli cum'è u pettu. U molibdenu produce raghji X caratteristici à livelli energetichi più bassi, chì li facenu ideali per osservà sferenze sottili in a densità di u tessulu mammariu.

Inoltre, u molibdenu hà boni proprietà di conductività termale, chì hè impurtante in l'equipaggiu di mammografia induve l'esposizione ripetuta di raghji X hè cumuni. A capacità di dissiparà in modu efficace u calore aiuta à mantene a stabilità è a prestazione di i tubi di raghji X per periodi estesi di usu.

In generale, l'usu di molibdenu cum'è un materiale di destinazione in a mammografia aiuta à ottimisà a qualità di l'imaghjini di u pettu furnisce e proprietà di raghji X adattati per questa applicazione specifica.

Chì sò i svantaghji di i materiali di destinazione di tungstenu?

Alta fragilità: i materiali di destinazione di tungstenu anu una alta fragilità è sò suscettibili à l'impattu è a vibrazione, chì ponu causà danni.
Altu costu di fabricazione: U costu di fabricazione di u materiale di destinazione di tungstenu hè relativamente altu perchè u so prucessu di produzzione richiede una seria di prucedure cumplesse è equipaghji di trasfurmazioni d'alta precisione.
Difficultà di saldatura: Saldatura di materiali di destinazione di tungstenu hè relativamente difficiule è richiede prucessi è tecniche di saldatura speciale per assicurà l'integrità di a so struttura è u so rendiment.
Altu coefficient di espansione termale: u materiale di destinazione di tungstenu hà un altu coefficient di espansione termale, cusì quandu s'utilice in ambienti d'alta temperatura, l'attenzione deve esse pagata à i so cambiamenti di dimensione è l'influenza di u stress termicu.