Materiale di destinazione di molibdenu largamente utilizatu in u campu di i semiconduttori

Descrizione breve:

Produzione di semiconduttori: In l'industria di i semiconduttori, i miri di molibdenu sò comunmente usati per fabricà filmi sottili per via di a deposizione fisica di vapore (PVD) è altre tecnulugia cum'è strati conduttivi o di barriera per i circuiti.


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U metudu di pruduzzione di u materiale di destinazione di molibdenu

1. A purità di u molibdenu in polvere hè più grande o uguale à 99,95%. U trattamentu di densificazione di u molibdenu hè statu realizatu cù u prucessu di sinterizzazione di pressa calda, è u molibdenu in u molibdenu hè stata postu in u moldu; Dopu avè postu u moldu in u fornu di sinterizzazione di pressa calda, vacuum the hot pressing furnace di sinterizzazione; Aghjustate a temperatura di u furnace di sinterizzazione di pressa calda à 1200-1500 ℃, cù una pressione più grande di 20MPa, è mantene l'insulazione è a pressione per 2-5 ore; Furmendu u primu billet di destinazione di molibdenu;

2. Eseguite u trattamentu di laminazione in caldu nantu à a prima billetta di molibdenu, riscalda u primu billet di molibdenu à 1200-1500 ℃, è poi eseguisce u trattamentu di u molibdenu per furmà a seconda billetta di u molibdenu;

3. Dopu à u trattamentu di laminazione in caldu, u secondu materiale di destinazione di molibdenu hè annealed aghjustendu a temperatura à 800-1200 ℃ è mantenendu per 2-5 ore per furmà un molibdenu.materiale di destinazione denum.

L'usu diMateriale di destinazione di molibdenu

I miri di molibdenu ponu formate filmi sottili nantu à diversi sustrati è sò largamente usati in cumpunenti elettronichi è prudutti.

Prestazione di Molibdenu Sputtered Target Materials

U rendiment di u materiale di destinazione di molibdenu sputtering hè u listessu cum'è quellu di u so materiale fonte (molibdenu puro o lega di molibdenu). U molibdenu hè un elementu metallicu utilizatu principalmente per l'acciaio. Dopu chì l'ossidu di molibdenu industriale hè pressatu, a maiò parte hè direttamente utilizata per a fabricazione di l'acciaio o di ghisa. Una piccula quantità di molibdenu hè smelted in ferru di molibdenu o foglia di molibdenu è dopu utilizatu per a fabricazione di l'acciaio. Puderà migliurà a forza, a durezza, a saldabilità, a tenacità, è ancu a resistenza à a temperatura alta è a corrosione di leghe.

 

Applicazione di Molibdenu Sputtering Target Materials in Flat Panel Display

In l'industria di l'elettronica, l'applicazione di ugetti di sputtering di molibdenu hè principarmenti cuncentrata in display di pannellu pianu, elettrodi di cellule solari di film sottile è materiali di cablaggio, è ancu materiali di strati di barriera di semiconductor. Questi materiali sò basati nantu à un altu puntu di fusione, una alta conduttività è un molibdenu di bassa impedenza specifica, chì hà una bona resistenza à a corrosione è prestazioni ambientali. U molibdenu hà i vantaghji di solu a mità di l'impedenza specifica è u stress di film di u cromu, è ùn hà micca prublemi di contaminazione ambientale, facendu unu di i materiali preferiti per sputtering targets in display flat panel. Inoltre, aghjunghje elementi di molibdenu à i cumpunenti LCD pò migliurà assai a luminosità, u cuntrastu, u culore è a vita di u LCD.

 

Applicazione di Molibdenu Sputtering Target Materials in Thin Film Solar Photovoltaic Cells

CIGS hè un tipu impurtante di cellula solare utilizata per cunvertisce a luce di u sole in electricità. CIGS hè cumpostu di quattru elementi: ramu (Cu), indiu (In), gallium (Ga) è seleniu (Se). U so nome cumpletu hè ramu, indiu, galiu, seleniu, cellula solare di film sottile. CIGS hà i vantaghji di una forte capacità di assorbimentu di luce, una bona stabilità di generazione di energia, una alta efficienza di cunversione, un longu tempu di generazione di energia di ghjornu, una grande capacità di generazione di energia, un costu di pruduzzione bassu è un cortu periodu di ricuperazione di energia.

 

I miri di molibdenu sò principarmenti spruzzati per furmà a strata di l'elettrodu di e batterie di film sottili CIGS. U molibdenu hè situatu à u fondu di a cellula solare. Cum'è u cuntattu posteriore di e cellule solari, ghjoca un rolu impurtante in a nucleazione, a crescita è a morfologia di i cristalli di film sottili CIGS.

 

Obiettivu di sputtering di molibdenu per u touch screen

L'obiettivi di niobiu di molibdenu (MoNb) sò usati cum'è strati conduttivi, coprenti è bluccanti in televisioni d'alta definizione, tablette, smartphones è altri dispositi mobili per via di u revestimentu sputtering.

Parametru

Nome di u produttu Materiale di destinazione di molibdenu
Materiale Mo1
Specificazione Personalizatu
Superficie Pelle nera, alkali lavata, lucidata.
Tecnica Prucessu di sinterizzazione, machining
Puntu di fusione 2600 ℃
Densità 10,2 g/cm3

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