Ang mga siyentista sa Rice University nakamugna og solid-state memory technology nga nagtugot sa high-density storage nga adunay minimum nga insidente sa computer errors.

Ang mga panumduman gibase satantalum oxide, usa ka komon nga insulator sa electronics. Pag-aplay sa boltahe sa usa ka 250-nanometer nga gibag-on nga sandwich sa graphene, tantalum, nanoporoustantalumAng oxide ug platinum nagmugna og mga addressable bits diin ang mga layer magtagbo. Ang pagkontrol sa mga boltahe nga nagbalhin sa mga ion sa oxygen ug mga bakante nagbalhin sa mga bit sa taliwala sa mga ug mga zero.

Ang pagkadiskobre sa Rice lab sa chemist nga si James Tour mahimong magtugot sa mga handumanan sa crossbar array nga nagtipig hangtod sa 162 gigabits, labi ka taas kaysa sa ubang mga sistema sa memorya nga nakabase sa oxide nga gisusi sa mga siyentipiko. (Walo ka bit ang katumbas sa usa ka byte; ang usa ka 162-gigabit nga yunit magtipig ug mga 20 ka gigabyte nga impormasyon.)

Ang mga detalye makita online sa American Chemical Society journalMga Sulat sa Nano.

Sama sa nangaging pagkadiskobre sa Tour lab sa silicon oxide nga mga panumduman, ang bag-ong mga himan nagkinahanglan lamang og duha ka electrodes matag sirkito, nga naghimo kanila nga mas simple kaysa karon nga flash memory nga naggamit ug tulo. "Apan kini usa ka bag-ong paagi sa paghimo sa ultradense, nonvolatile nga panumduman sa kompyuter," ingon ni Tour.

Ang mga nonvolatile nga panumduman nagkupot sa ilang mga datos bisan pa nga ang kuryente gipalong, dili sama sa dali moalisngaw nga random-access nga mga panumduman sa kompyuter nga mawad-an sa ilang mga sulod sa dihang ang makina gipalong.

Ang mga modernong memory chips adunay daghang mga kinahanglanon: Kinahanglan nila nga basahon ug isulat ang datos sa taas nga tulin ug kupti kutob sa mahimo. Kinahanglan usab sila nga lig-on ug magpakita sa maayong pagpabilin sa kana nga datos samtang naggamit og gamay nga gahum.

Giingon sa Tour nga ang bag-ong disenyo sa Rice, nga nanginahanglan og 100 ka beses nga gamay nga kusog kaysa sa karon nga mga aparato, adunay potensyal nga maigo ang tanan nga mga marka.

“KinitantalumAng memorya gibase sa duha ka terminal nga sistema, mao nga kini ang tanan gitakda alang sa 3-D memory stacks, "ingon niya. "Ug wala kini magkinahanglan og mga diode o mga tigpili, nga naghimo niini nga usa sa labing kadali nga ultradense nga mga panumduman nga matukod. Kini mahimong usa ka tinuud nga kakompetensya alang sa nagkadako nga mga panginahanglanon sa panumduman sa high-definition nga pagtipig sa video ug mga arrays sa server.

Ang layered structure naglangkob sa tantalum, nanoporous tantalum oxide ug multilayer graphene tali sa duha ka platinum electrodes. Sa paghimo sa materyal, nakit-an sa mga tigdukiduki nga ang tantalum oxide anam-anam nga nawad-an sa mga ion sa oksiheno, nga nagbag-o gikan sa usa ka puno sa oxygen, nanoporous semiconductor sa taas hangtod sa kabus nga oxygen sa ilawom. Kung ang oxygen mawala sa hingpit, kini mahimong puro tantalum, usa ka metal.