Tungstèserpentins d'evaporació

Puresa: W ≥ 99,95%

Condicions de la superfície: Neteja química o polit electrolític.

Punt de fusió: 3420 ± 20 ℃

Mida: segons el dibuix proporcionat.

Tipus: Recte, forma d'U, forma de V, cistella. Helicoïdal.

Aplicació: els escalfadors de filferro de tungstè s'utilitzen principalment per a elements de calefacció com ara tub d'imatge, mirall, plàstic, substrat metàl·lic, ABS, PP i altres materials plàstics a la superfície de diversos objectes decoratius. El filferro de tungstè s'utilitza principalment com a matèria primera per a l'escalfador.

Principi de funcionament: el tungstè té un punt de fusió elevat, una alta resistivitat elèctrica, una bona resistència i una baixa pressió de vapor, el que el fa adequat per al seu ús com a escalfador. La membrana es col·loca en un escalfador en una cambra de buit i s'escalfa en condicions de buit elevat mitjançant un escalfador (escalfador de tungstè) per evaporar-se. Quan el camí lliure mitjà de les molècules de vapor és més gran que la mida lineal de la cambra de buit, els àtoms del vapor Després que les molècules s'escapin de la superfície de la font d'evaporació, poques vegades es veuen afectats o obstaculitzats per altres molècules o àtoms, i pot arribar directament a la superfície del substrat a xapar. A causa de la temperatura més baixa del substrat, la pel·lícula es forma per condensació.

L'evaporació tèrmica (evaporació de resistència) és un mètode de recobriment utilitzat com a part del procés PVD (Physical Vapor Deposition). El material que ha de formar la capa posterior s'escalfa en una cambra de buit fins que s'evapora. El vapor format pel material es condensa sobre el substrat i forma la capa necessària.

Les nostres bobines d'evaporació saben com augmentar la calor: aquests escalfadors de resistència amb els seus punts de fusió molt elevats faran bullir pràcticament qualsevol metall. Al mateix temps, la seva alta resistència a la corrosió i la seva excel·lent puresa del material impedeixen qualsevol contaminació del substrat.