রাইস ইউনিভার্সিটির বিজ্ঞানীরা একটি সলিড-স্টেট মেমরি প্রযুক্তি তৈরি করেছেন যা কম্পিউটারের ত্রুটির ন্যূনতম ঘটনা সহ উচ্চ-ঘনত্ব সঞ্চয় করার অনুমতি দেয়।

স্মৃতির উপর ভিত্তি করেট্যানটালাম অক্সাইড, ইলেকট্রনিক্স একটি সাধারণ অন্তরক. গ্রাফিন, ট্যানটালাম, ন্যানোপোরাসের 250-ন্যানোমিটার পুরু স্যান্ডউইচে ভোল্টেজ প্রয়োগ করাট্যান্টালামঅক্সাইড এবং প্ল্যাটিনাম ঠিকানাযোগ্য বিট তৈরি করে যেখানে স্তরগুলি মিলিত হয়। নিয়ন্ত্রণ ভোল্টেজ যা অক্সিজেন আয়ন স্থানান্তর করে এবং শূন্যস্থানগুলিকে এক এবং শূন্যের মধ্যে বিটগুলিকে পরিবর্তন করে।

রসায়নবিদ জেমস ট্যুরের রাইস ল্যাবের আবিষ্কার ক্রসবার অ্যারে স্মৃতির জন্য অনুমতি দিতে পারে যা 162 গিগাবিট পর্যন্ত সঞ্চয় করে, বিজ্ঞানীদের দ্বারা তদন্তাধীন অন্যান্য অক্সাইড-ভিত্তিক মেমরি সিস্টেমের তুলনায় অনেক বেশি। (আট বিট সমান এক বাইট; একটি 162-গিগাবিট ইউনিট প্রায় 20 গিগাবাইট তথ্য সংরক্ষণ করবে।)

বিস্তারিত আমেরিকান কেমিক্যাল সোসাইটি জার্নালে অনলাইনে উপস্থিত হয়ন্যানো চিঠি.

ট্যুর ল্যাবের সিলিকন অক্সাইড স্মৃতির আগের আবিষ্কারের মতো, নতুন ডিভাইসগুলির জন্য সার্কিট প্রতি মাত্র দুটি ইলেক্ট্রোড প্রয়োজন, যা তিনটি ব্যবহার করে বর্তমান সময়ের ফ্ল্যাশ স্মৃতির চেয়ে সহজ করে তোলে। "কিন্তু এটি অতি ঘনীভূত, অভোলাটাইল কম্পিউটার মেমরি তৈরি করার একটি নতুন উপায়," ট্যুর বলেছেন।

অস্থির স্মৃতিগুলি তাদের ডেটা ধরে রাখে এমনকি পাওয়ার বন্ধ থাকা অবস্থায়ও, অস্থির র্যান্ডম-অ্যাক্সেস কম্পিউটার স্মৃতিগুলির বিপরীতে যা মেশিনটি বন্ধ হয়ে গেলে তাদের বিষয়বস্তু হারিয়ে ফেলে।

আধুনিক মেমরি চিপগুলির অনেক প্রয়োজনীয়তা রয়েছে: তাদের উচ্চ গতিতে ডেটা পড়তে এবং লিখতে হবে এবং যতটা সম্ভব ধরে রাখতে হবে। এগুলি অবশ্যই টেকসই হতে হবে এবং ন্যূনতম শক্তি ব্যবহার করার সময় সেই ডেটার ভাল ধরে রাখতে হবে।

ট্যুর বলেছে যে রাইস এর নতুন ডিজাইন, যার জন্য বর্তমান ডিভাইসের তুলনায় 100 গুণ কম শক্তি প্রয়োজন, সমস্ত চিহ্ন আঘাত করার সম্ভাবনা রয়েছে।

“এইট্যান্টালামমেমরি দুটি-টার্মিনাল সিস্টেমের উপর ভিত্তি করে, তাই এটি 3-ডি মেমরি স্ট্যাকের জন্য প্রস্তুত," তিনি বলেছিলেন। “এবং এটির জন্য ডায়োড বা নির্বাচকেরও প্রয়োজন নেই, এটি নির্মাণের সবচেয়ে সহজ আল্ট্রাডেন্স স্মৃতিগুলির মধ্যে একটি করে তোলে৷ হাই-ডেফিনিশন ভিডিও স্টোরেজ এবং সার্ভার অ্যারেতে ক্রমবর্ধমান মেমরির চাহিদার জন্য এটি একটি সত্যিকারের প্রতিযোগী হবে।"

স্তরবিশিষ্ট কাঠামোটি দুটি প্ল্যাটিনাম ইলেক্ট্রোডের মধ্যে ট্যানটালাম, ন্যানোপোরাস ট্যানটালাম অক্সাইড এবং মাল্টিলেয়ার গ্রাফিন নিয়ে গঠিত। উপাদান তৈরিতে, গবেষকরা দেখতে পান যে ট্যানটালাম অক্সাইড ধীরে ধীরে অক্সিজেন আয়ন হারায়, শীর্ষে অক্সিজেন সমৃদ্ধ, ন্যানোপোরাস সেমিকন্ডাক্টর থেকে নীচে অক্সিজেন-দরিদ্রে পরিবর্তিত হয়। যেখানে অক্সিজেন সম্পূর্ণরূপে অদৃশ্য হয়ে যায়, এটি বিশুদ্ধ ট্যানটালাম, একটি ধাতুতে পরিণত হয়।